[发明专利]生产含氧化铟的层的方法，通过该方法生产的含氧化铟的层及其用途

权利要求书

1.液相方法，用于由不含水溶液来生产包含氧化铟的层，特征在于在无水气氛中，将含有至少一种通式InX(OR)₂的铟卤素醇盐和至少一种溶剂或者分散介质的无水组合物进行步骤a)到d)的次序，通式InX(OR)₂中R=烷基和/或烷氧基烷基且X=F，Cl，Br或者I：

a) 施涂到基材上，

b) 用波长≤360nm的电磁辐射照射施涂到该基材上的所述组合物，和

c) 任选地干燥，和然后

d) 热转化成包含氧化铟的层。

2.根据权利要求1的方法，特征在于该至少一种铟卤素醇盐的烷基或者烷氧基烷基是C1-C15-烷氧基或者烷氧基烷基。

3.根据权利要求2的方法，特征在于该铟卤素醇盐是InCl(OMe)₂，InCl(OCH₂CH₂OCH₃)₂，InCl(OEt)₂，InCl(OiPr)₂或者InCl(OtBu)₂。

4.根据前述权利要求中任一项的方法，特征在于该无水组合物除了铟卤素醇盐之后，还包含其他前体，优选其他元素的醇盐和卤素醇盐，所述其他元素特别优选B、Al、Ga、Ge、Sn、Pb、P、Zn和Sb的醇盐和卤素醇盐，它们处于溶解或者分散的形式。

5.根据前述权利要求中任一项的方法，特征在于该铟卤素醇盐 InX(OR)₂以0.1-10重量%的比例使用，基于该组合物的总质量计。

6.根据前述权利要求中任一项的方法，特征在于该溶剂或者分散介质是非质子或者弱质子的溶剂或者分散介质。

7.根据权利要求6的方法，特征在于该至少一种溶剂或者分散介质是甲醇，乙醇，异丙醇，四氢糠醇，叔丁醇，乙酸丁酯，甲氧基乙醇或者甲苯。

8.根据前述权利要求中任一项的方法，特征在于该至少一种溶剂或者分散介质以90-99.9重量%的比例存在，基于该组合物的总质量计。

9.根据前述权利要求中任一项的方法，特征在于该组合物的粘度是1mPa.s-10 Pa.s。

10.根据前述权利要求中任一项的方法，特征在于该基材选自玻璃，硅，二氧化硅，金属氧化物或者过渡金属氧化物，金属或者聚合物材料。

11.根据前述权利要求中任一项的方法，特征在于该无水组合物是依靠下面的方法施涂到所述基材上的：印刷方法，喷涂方法，旋涂方法，浸渍方法，或者选自弯月面涂覆，狭缝涂覆，狭缝-模头涂覆和帘涂的方法。

12.根据权利要求11的方法，特征在于该施涂是经由选自连续的热和压电喷墨印刷的喷墨印刷方法来进行的。

13.根据前述权利要求中任一项的方法，特征在于该无水组合物用波长150-300nm的电磁辐射来照射。

14.根据前述权利要求中任一项的方法，特征在于该热转化是依靠大于150℃的温度进行的。

15.根据前述权利要求中任一项的方法，特征在于在热处理之前、期间或者之后，射入UV、IR或者VIS辐射。

16.包含氧化铟的层，其能根据权利要求1-15的方法之一来生产。

17.至少一种根据权利要求16的包含氧化铟的层用于生产电子部件用的导体或者半导体层的用途，特别是用于生产晶体管，二极管，传感器或者太阳能电池用的导体或者半导体层的用途。