[发明专利]变容二极管和用于制造变容二极管的方法

权利要求书

1.变容二极管，包括下述组成部分：

-第一PTC区域（4），所述第一PTC区域包括具有在电阻方面正温度系数的陶瓷材料；和

-电容器区域（3），所述电容器区域包括：

-第一电极（2）、

-第二电极（2’）、

-第一介电层（1），所述第一介电层设置在所述第一电极（2）和

所述第二电极（2’）之间，

其中所述第一PTC区域（4）和所述电容器区域（3）导热地彼此连接，并且所述电容器区域（3）的电容能够通过将偏压施加到

-所述第一PTC区域（4）上、

-所述电容器区域（3）上

-所述第一PTC区域（4）和所述电容器区域（3）上

来改变。

2.根据权利要求1所述的变容二极管，其中所述第一PTC区域（4）能够通过施加电压而调节到下述温度，在所述温度下所述第一介电层（1）具有在介电性方面的最大的连续调谐性。

3.根据上述权利要求之一所述的变容二极管，其中所述第一PTC区域（4）能够通过施加电压而调节到下述温度，在所述温度下能够调节所述电容器区域（3）的介电损失。

4.根据上述权利要求之一所述的变容二极管，其中所述第一PTC区域（4）设置在所述第一电极（2）上。

5.根据上述权利要求之一所述的变容二极管，其中所述第一PTC区域（4）具有掺杂物。

6.根据权利要求5所述的变容二极管，附加地包括：

-第一中间层（6），所述第一中间层设置在所述PTC区域（4）和所述第一电极（2）之间，并且对于所述掺杂物而言是尽可能不能穿透的。

7.根据权利要求6所述的变容二极管，附加地包括：

-第二介电层（5），所述第二介电层设置在所述第一中间层（6）和所述第一电极（2）之间。

8.根据上述权利要求之一所述的变容二极管，附加地包括：

-第二PTC区域（9），所述第二PTC区域与所述电容器区域（3）导热地连接。

9.根据权利要求8所述的变容二极管，其中所述第一PTC区域（4）、所述第二PTC区域（9）和所述电容器区域（3）构成层叠，并且所述第一PTC区域（4）和所述第二PTC区域（9）设置在所述电容器区域（3）的两个对置的侧上。

10.根据上述权利要求之一所述的变容二极管，其中所述第一PTC区域（4）具有电接触部。

11.根据上述权利要求之一所述的变容二极管，其中所述第一PTC区域（4）包括Ba_1-xSr_xTi_1-yZr_yO₃，其中适用：0<x<1；0≤y<1。

12.根据上述权利要求之一所述的变容二极管，其中所述第一介电层（1）包括Ba_1-xSr_xTi_1-yZr_yO₃，其中适用：0<x<1；0≤y<1。

13.根据上述权利要求之一所述的变容二极管，所述变容二极管关于所述第一介电层（1）具有对称的结构。

14.用于制造根据权利要求1至13之一所述的变容二极管的方法，包括下述方法步骤：

A）构成至少包括下述层的层叠：

-第一PTC区域（4），

-第一电极（2），

-第一介电层（1），

-第二电极（2’），

B）烧结来自A）的所述层叠，使得构成变容二极管，其中所述电容器区域（3）的电容能够通过将偏压施加到所述第一PTC区域（4）上、所述电容器区域（3）上或者所述第一PTC区域（4）和所述电容器区域（3）上来改变。

15.根据权利要求14所述的方法，

其中在方法步骤A）中产生包括掺杂物的第一PTC区域（4），并且构成第一中间层（6），所述第一中间层设置在所述第一PTC区域（4）和所述第一电极（2）之间，并且对于所述掺杂物而言是尽可能不能穿透的。