[发明专利]包括透明导电层的装置，包括光电设备的装置和用于制造透明电极的方法

权利要求书

1.装置，包括：

-透明的衬底（101），

-在所述衬底（101）上的至少一个透明导电层（110），其中所述至少一个透明导电层（110）具有：

-至少一个第一透明导电层（111），

-至少一个第二透明导电层（112）。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个第一透明导电层（111）和所述至少一个第二透明导电层（112）分别具有至少一个特性，其中所述至少一个第二透明导电层（112）的所述至少一个特性与所述第一透明导电层（111）的所述至少一个特性相关。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述至少一个特性相应地包括相应的所述层（111；112）的结晶性、取向、中止中的至少一个。

4.根据权利要求1至3之一所述的装置，其中所述至少一个第一透明导电层（111）具有在30纳米±10%与400纳米±10%之间的厚度（113）。

5.根据权利要求1至4之一所述的装置，其中所述至少一个第二透明导电层（112）具有大于200纳米的厚度（114）。

6.装置，包括：

-根据权利要求1至5之一所述的装置，

-用于将辐射能转换为电能的至少一个光电设备（120），在沿着入射辐射的主方向的顺序中，所述至少一个光电设备在所述至少一个透明导电层（110）上。

7.用于在透明衬底（101）上制造透明电极（110）的方法，包括：

-提供所述透明衬底（101），

-将具有特性的第一透明导电层（111）沉积到所述透明衬底（101）上，

-将具有特性的第二透明导电层（112）沉积到所述第一透明导电层（111）上，其中

-所述第二透明导电层（111）的所述特性与所述第一透明导电层（112）的所述特性相关。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述层（111；112）的相应的所述特性包括相应的所述层（112；112）的结晶性、取向和中止中的至少一个。

9.根据权利要求7至8之一所述的方法，包括：

-以第一衬底温度沉积所述第一透明导电层（111），和

-以第二衬底温度沉积所述第二透明导电层（112），其中

-所述第一衬底温度低于所述第二衬底温度。

10.根据权利要求7至9之一所述的方法，包括：

-以第一功率密度沉积所述第一透明导电层（111），和

-以第二功率密度沉积所述第二透明导电层（112），其中

-所述第一功率密度小于所述第二功率密度。