[发明专利]铜箔及铜箔的制造方法

权利要求书

1.一种表面处理铜箔，其特征在于，在铜箔的至少单面上形成有机防锈膜，所述有机防锈膜，其表示表面厚度的双电层电容的倒数1/C值为0.3~0.8cm²/μF。

2.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述铜箔的形成有机防锈膜的面的表面粗度，以JISB0601-1994中规定的10点平均粗度Rz计，在2.0μm以下。

3.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述有机防锈膜由三唑化合物、二羧酸类和胺类形成。

4.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述有机防锈膜由四唑化合物、二羧酸类和胺类形成。

5.一种表面处理铜箔的制造方法，其特征在于，使铜箔表面与含有三唑化合物、二羧酸类、胺类的溶液接触、干燥，在铜箔的至少单面上形成有机防锈膜，该有机防锈膜，其表示表面厚度的双电层电容的倒数1/C值为0.3~0.8cm²/μm。

6.一种表面处理铜箔的制造方法，其特征在于，使铜箔表面与含有四唑化合物、二羧酸类、胺类的溶液接触、干燥，在铜箔的至少单面上形成有机防锈膜，该有机防锈膜，其表示表面厚度的双电层电容的倒数1/C值为0.3~0.8cm²/μF。

7.一种表面处理铜箔的制造方法，其特征在于，使铜箔表面与含有三唑化合物、二羧酸类、胺类的溶液接触、干燥，在铜箔的至少单面上形成有机防锈膜，该铜箔的JISB0601-1994中规定的10点平均粗度Rz在2.0μm以下，该有机防锈膜，其表示表面厚度的双电层电容的倒数1/C值为0.3~0.8cm²/μF。

8.一种表面处理铜箔的制造方法，其特征在于，使铜箔表面与含有四唑化合物、二羧酸类、胺类的溶液接触、干燥，在铜箔的至少单面上形成有机防锈膜，该铜箔的JISB0601-1994中规定的10点平均粗度Rz在2.0μm以下，该有机防锈膜，其表示表面厚度的双电层电容的倒数1/C值为0.2~0.8cm²/μF。