[发明专利]用于制造电子构件的方法以及按照所述方法制造的电子构件

权利要求书

1.用于制造电子构件（EB）的方法，所述电子构件具有至少一个在GaAs衬底（HS）的正面上的半导体器件（BE），其中，所述衬底的背向所述器件的背面设有背面金属化部（RM），其中，将粘附层施加到衬底材料的表面上，并且之后沉积有Au传导层（4），所述Au传导层（4）的厚度为所述背面金属化部总厚度的至少50%，其特征在于，将第一Au层（1）作为粘附层来沉积。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积有层厚度为至少25nm，尤其至少35nm以及最大100nm、尤其是最大75nm的所述第一Au层（1）。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在沉积所述第一Au层（1）之前，所述衬底（HS）的所述背面被抛光至平均粗糙度小于4nm。

4.根据权利要求1至3之一所述的方法，其特征在于，在所述第一Au层（1）与所述Au传导层（4）之间沉积有扩散阻隔层（2）。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述扩散阻隔层（2）与所述Au传导层（4）之间沉积有第Au层（3）。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述扩散阻隔层（2）至少在与所述第一Au层的界面区域（2a）中和/或在与所述第二Au层的界面区域（2c）中由至少一种难熔金属制成，尤其是由Ti制成。

7.根据权利要求4至6之一所述的方法，其特征在于，所述扩散阻隔层至少在中间层区域（2c）中包含N。

8.根据权利要求4至7之一所述的方法，其特征在于，所述扩散阻隔层（2）以大于所述第一Au层（1）的层厚度来沉积。

9.根据权利要求1至8之一所述的方法，其特征在于，溅射所述第一Au层（1）和/或所述扩散阻隔层（2）和/或所述第Au层（3）。

10.根据权利要求1至9之一所述的方法，其特征在于，电镀沉积所述Au传导层（4）。

11.根据权利要求1至10之一所述的方法，其特征在于，在沉积所述背面金属化部（RM）之前，产生至少一个贯穿所述衬底（HS）的通孔（DK），并且所述背面金属化部也沉积在所述通孔中。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，至少所述第一Au层（1）在所述通孔（DK）中被以与所述衬底背面上相比更小的层厚度来沉积。

13.具有GaAs半导体衬底（HS）的电子构件（EB），所述GaAs半导体衬底（HS）在所述GaAs半导体衬底（HS）的衬底正面具有至少一个半导体器件（BE），并且在所述衬底背面具有背面金属化部，其中，所述背面金属化部（RM）包含至少一个与所述衬底的半导体材料保持接触的粘附层（1）以及Au传导层，所述Au传导层的层厚度为所述背面金属化部层厚度的至少50%，其特征在于，所述粘附层是第一Au层（1）。

14.根据权利要求13所述的构件，其特征在于，所述第一Au层（1）的层厚度为至少25nm，尤其至少35nm和最大100nm，尤其是最大75nm。

15.根据权利要求13或14所述的构件，其特征在于，所述衬底背面在与所述第一Au层（1）的界面上具有小于4nm的平均粗糙度。

16.根据权利要求13至15之一所述的构件，其特征在于位于所述第一Au层（1）与所述Au传导层（4）之间的扩散阻隔层（2）。

17.根据权利要求16所述的构件，其特征在于位于所述扩散阻隔层（2）与所述Au传导层（4）之间的第Au层（3）。

18.根据权利要求16或17所述的构件，其特征在于，所述扩散阻隔层（2）至少在与所述第一Au层（1）的界面区域（2a）中或在与所述第Au层（3）的界面区域（2c）中由Ti制成。

19.根据权利要求16至18之一所述的构件，其特征在于，所述扩散阻隔层（2）至少在中间层区域（2b）中包含N并且优选由TiN制成。

20.根据权利要求16至19之一所述的构件，其特征在于，所述扩散阻隔层（2）的层厚度大于所述第一Au层（1）的层厚度。