[发明专利]蚀刻液及使用其的半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201080059307.9 | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102696097A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 细见彰良 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;C23F1/18;H01L21/3205;H01L21/3213;H01L21/60;H01L23/12;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 使用 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种在使用了具有电极的半导体基板的半导体装置的制造中使用的蚀刻液，其含有过氧化氢、有机酸和有机膦酸，有机酸为选自柠檬酸及苹果酸中的至少一种，过氧化氢的含量为0.75~12质量%，有机酸的含量为0.75~25质量%，且有机膦酸的含量为0.0005~1质量%。
2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其中，过氧化氢的含量为1.5~12质量%，有机酸的含量为1.5~20质量%，有机膦酸的含量为0.001~0.25质量%。
3.根据权利要求1所述的蚀刻液，其中，过氧化氢的含量为1.5~5质量%，有机酸的含量为1.5~10质量%，有机膦酸的含量为0.01~0.15质量%。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的蚀刻液，其中，有机膦酸为选自二亚乙基三胺五亚甲基膦酸、丙二胺四亚甲基膦酸及1-羟基乙叉基-1,1-二膦酸中的至少一种。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的蚀刻液，其中，半导体装置具有由焊料形成的凸块电极。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的蚀刻液，其中，半导体装置具有使用铜形成的布线。
7.一种半导体装置的制造方法，其具有使用权利要求1~6中任一项所述的蚀刻液的蚀刻工序。
8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，半导体装置具有由焊料形成的凸块电极。
9.根据权利要求7或8所述的半导体装置的制造方法，其具备在具有电极的半导体基板的该电极上形成布线的再布线形成工序。
10.根据权利要求7~9中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，半导体装置具有使用铜形成的布线。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
