[发明专利]半导体膜及光电转换装置有效
| 申请号： | 201080059933.8 | 申请日： | 2010-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102725822A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 奈须野善之;西村和仁;中野孝纪 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/075 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 光电 转换 装置 | ||
1.一种半导体膜（2），其形成在基板（1）的表面上且含有晶质，其特征在于，
具有包括该半导体膜（2）的表面中心的中心区域（2b）及位于所述中心区域（2b）周围的周边缘区域（2a），
该半导体膜（2）在所述周边缘区域（2a）的结晶化率大于所述中心区域（2b）的结晶化率。
2.如权利要求1所述的半导体膜（2），其特征在于，
所述半导体膜（2）在所述周边缘区域（2a）的结晶化率为4以上。
3.如权利要求1或2所述的半导体膜（2），其特征在于，
所述半导体膜（2）在所述中心区域（2b）的结晶化率为2以上。
4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体膜（2），其特征在于，
所述半导体膜（2）的表面面积为1m2以上。
5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体膜（2），其特征在于，
将所述半导体膜（2）的表面的中心点作为A点，
将所述半导体膜（2）的表面外周上的任意一点作为B点，
将连接所述A点和所述B点的线段作为线段AB，
将所述线段AB上的不同的两点分别作为C点和D点，
当连接所述A点和所述C点的线段的长度AC、连接所述C点和所述D点的线段的长度CD、连接所述D点和所述B点的线段的长度DB之比为AC：CD：DB=17：27：6时，
所述中心区域（2b）为在固定所述线段AB的A点、使所述B点在所述半导体膜（2）表面外周上环绕一周时由所述C点的轨迹围成的区域，
所述周边缘区域（2a）为在固定所述线段AB的A点、使所述B点在所述半导体膜（2）表面外周上环绕一周时所述B点的轨迹和所述D点的轨迹之间的区域，
将所述半导体膜（2）在所述中心区域（2b）的所述结晶化率设为Xa，
将所述半导体膜（2）在所述周边缘区域（2a）的所述结晶化率设为Xb时，满足下式（i）：
Xb≥Xa+1…（i）。
6.如权利要求5所述的半导体膜（2），其特征在于，
进而满足下式（ii）：
Xb≥Xa+2…（ii）。
7.一种半导体膜（2），其形成在基板（1）的表面上且含有晶质，其特征在于，
具有包括该半导体膜（2）的表面中心的中心区域（2b）及位于所述中心区域（2b）周围的周边缘区域（2a），
将所述半导体膜（2）的表面的中心点作为A点，
将所述半导体膜（2）的表面外周上的任意一点作为B点，
将连接所述A点和所述B点的线段作为线段AB，
将所述线段AB上的不同的两点分别作为C点和D点，
当连接所述A点和所述C点的线段的长度AC、连接所述C点和所述D点的线段的长度CD、连接所述D点和所述B点的线段的长度DB之比为AC：CD：DB=17：27：6时，
所述中心区域（2b）为在固定所述线段AB的A点、使所述B点在所述半导体膜（2）的表面外周上环绕一周时由所述C点的轨迹围成的区域，
所述周边缘区域（2a）为在固定所述线段AB的A点、使所述B点在所述半导体膜（2）的表面外周上环绕一周时所述B点的轨迹和所述D点的轨迹之间的区域，
将所述半导体膜（2）在所述中心区域（2b）的所述结晶化率设为Xa，
将所述半导体膜（2）在所述周边缘区域（2a）的所述结晶化率设为Xb时，满足下式（iii）及下式（iv）：
Xb≥13－Xa …（iii）
Xa≥Xb …（iv）。
8.一种光电转换装置，其特征在于，
将权利要求1至7中任一项所述的半导体膜（2）形成在基板（1）上而制成。
9.一种光电转换装置，其特征在于，
通过切断权利要求8所述的基板（1）而制成。
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