[发明专利]用于抗蚀剂的下层的组合物和使用其来生产半导体集成电路装置的方法

权利要求书

1.一种抗蚀剂下层组合物，包括：

由以下式1至3表示的化合物的有机硅烷缩聚产物；和溶剂：

[化学式1]

[R¹O]₃Si-X

其中，在化学式1中，

R¹是取代或未取代的C1至C6烷基基团，并且X是取代或未

取代的C6至C30芳基基团，

[化学式2]

[R²O]₃Si-R³

其中，在化学式2中，

R²是取代或未取代的C1至C6烷基基团，并且R³是取代或未

取代的C1至C12烷基基团，

[化学式3]

[R⁴O]₃Si-Si[OR⁵]₃

其中，在化学式3中，

R⁴和R⁵是相同或不同的，并且是取代或未取代的C1至C6烷基基团。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层组合物，其中，所述有机硅烷缩聚产物具有2,000至50,000的重均分子量。

3.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层组合物，其中，基于所述抗蚀剂下层组合物的总量，以在0.1wt%至50wt%范围内的量包括所述有机硅烷缩聚产物。

4.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层组合物，还包括交联剂、自由基稳定剂、表面活性剂或它们的组合。

5.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层组合物，还包括对甲苯磺酸吡啶盐、氨基磺基甜菜碱-16、铵(-)-樟脑-10-磺酸铵盐、甲酸铵、烷基三乙基甲酸铵、甲酸吡啶、四丁基乙酸铵、四丁基叠氮化铵、四丁基苯甲酸铵、四丁基硫酸氢铵、四丁基溴化铵、四丁基氯化铵、四丁基氰化铵、四丁基氟化铵、四丁基碘化铵、四丁基硫酸铵、四丁基硝酸铵、四丁基亚硝酸铵、四丁基对甲苯磺酸铵、四丁基磷酸铵、以及它们的组合的交联催化剂。