[发明专利]与集成电路集成的麦克风

权利要求书

1.一种含有电容式麦克风的集成电路，所述集成电路包含：

衬底，所述衬底具有延伸到所述衬底的表面的半导体区域；

介电支撑层，所述介电支撑层在所述衬底的表面上形成，所述介电支撑层具有穿过所述介电支撑层的进入孔；

所述电容式麦克风的固定板，所述固定板位于所述介电支撑层上；

所述电容式麦克风的可渗透膜，所述可渗透膜位于所述固定板上，使得空间将所述可渗透膜与所述固定板隔开；以及

背侧腔体，所述背侧腔体在所述衬底中形成，所述背侧腔体穿过所述进入孔连接到所述可渗透膜和所述固定板之间的所述空间，使得所述腔体的底部位于所述衬底中。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述介电支撑层包括由浅槽隔离工艺形成的场氧化物。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述固定板接触所述介电支撑层。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述固定板通过互连区域与所述介电支撑层隔开。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述背侧腔体的容积是所述可渗透膜和所述固定板之间的所述空间的容积的100倍以上。

5.一种形成含有电容式麦克风的集成电路的工艺，包含下面步骤：

提供衬底，所述衬底包括延伸到所述衬底的表面的半导体区域；

在所述衬底的表面形成介电支撑层；

形成穿过所述介电支撑层的进入孔；

在所述介电支撑层上形成所述电容式麦克风的固定板；

在所述固定板上形成电容器腔体牺牲层，所述电容器腔体牺牲层含有牺牲材料；

在所述电容器腔体牺牲层上形成可渗透膜；

从所述电容器腔体牺牲层去除所述牺牲材料，使得空间将所述可渗透膜与所述固定板隔开；以及

执行腔体形成工艺，以便通过将刻蚀剂穿过所述可渗透膜并穿过所述进入孔提供到所述衬底，以此在所述衬底中形成背侧腔体，使得所述背侧腔体通过所述进入孔连接到所述可渗透膜和所述固定板之间的所述空间，并且使得所述腔体的底部位于所述衬底中。

6.根据权利要求5所述的工艺，其中所述介电支撑层包括由浅槽隔离工艺形成的场氧化物。

7.根据权利要求6所述的工艺，进一步包括如下步骤：在所述进入孔上的所述衬底的表面上形成一个或更多硅化物块层。

8.根据权利要求5所述的工艺，进一步包含在所述介电支撑层上形成互连区域，使得所述互连区域在执行形成所述固定板的步骤之前形成，以便所述固定板位于所述互连区域上。

9.根据权利要求5所述的工艺，其中执行腔体形成工艺的步骤进一步包括形成含SF6气体的等离子体，使得将含氟的反应组分提供到所述衬底。