[发明专利]相移光掩模和图案化方法

权利要求书

1.一种光掩模坯，包含：

衬底；

所述衬底上的下硬掩模区；

所述下硬掩模区上的吸收区；以及

所述吸收区上的上硬掩模区。

2.根据权利要求1所述的光掩模坯，其中所述下硬掩模区和所述吸收区具有对于带有大约193纳米的曝光辐射波长的光的至少2.8的组合光密度。

3.根据权利要求2所述的光掩模坯，所述曝光辐射波长为大约193纳米。

4.根据权利要求1所述的光掩模坯，其中所述下硬掩模区和所述吸收区具有对于带有大约193纳米的波长的光的至少3.0的组合光密度，并且其中所述吸收区单独具有对于带有大约193纳米的波长的光的小于3.0的光密度。

5.根据权利要求1所述的光掩模坯，其中所述下硬掩模区和所述上硬掩模区都包含铬。

6.根据权利要求1所述的光掩模坯，其中所述下硬掩模区和所述上硬掩模区基本上由相同的材料组成。

7.根据权利要求6所述的光掩模坯，其中所述上硬掩模区具有所述下硬掩模区的厚度的至少1.5倍的厚度。

8.根据权利要求7所述的光掩模坯，其中所述吸收区包含MoSi并且具有大到足够所述吸收区和下硬掩模区具有对于带有大约193纳米的波长的光的至少2.8的组合光密度的厚度。

9.根据权利要求1所述的光掩模坯，其中所述下硬掩模区包含难熔金属并且具有小于200埃的厚度。

10.根据权利要求9所述的光掩模坯，其中所述下硬掩模区包含选自由氧化铬和氮氧化铬组成的组的材料。

11.根据权利要求9所述的光掩模坯，其中所述衬底包含石英并且所述下硬掩模区与所述石英衬底直接接触。

12.根据权利要求1所述的光掩模坯，其中：

所述下硬掩模区包含难熔金属、与所述衬底直接接触、并且具有150埃或更小的厚度；

所述上硬掩模区基本上由与所述下硬掩模区相同的材料组成并且具有所述下硬掩模区的厚度的至少两倍的厚度。

13.根据权利要求12所述的光掩模坯，其中：

所述衬底包含石英；

所述难熔金属是铬；

所述吸收区包含钼和硅；以及

所述下硬掩模区和所述吸收区具有对于带有大约193纳米的波长的光的至少2.8的组合光密度。

14.一种图案化光掩模坯的方法，所述光掩模坯包括衬底、所述衬底上的第一硬掩模区、所述第一硬掩模区上的吸收区和所述吸收区上的第二硬掩模区，所述方法包含：

将图案化层图案化，以便所述第二硬掩模区的一些部分被所述图案化层覆盖并且所述第二硬掩模区的一些部分是暴露部分；

用与所述吸收区相比较以更大的速率选择地去除所述第二硬掩模区的第一工艺来去除所述第二硬掩模区的暴露部分，以暴露所述第二硬掩模区的去除部分之下的所述吸收区的部分；

用与所述第一硬掩模区相比较以更大的速率选择地去除所述吸收区的第二工艺来去除所述吸收区的暴露部分，以暴露所述吸收区的去除部分之下的所述第一硬掩模区的部分；

用与所述衬底相比较以更大的速率选择地去除所述第一硬掩模区的第三工艺来去除所述第一硬掩模区的暴露部分，以暴露所述第一硬掩模区的去除部分之下的所述衬底的部分；以及

去除所述衬底的暴露部分以形成所述衬底中的沟。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一、第二和第三工艺全是等离子蚀刻。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一和第三工艺基本上使用相同的等离子蚀刻。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一硬掩模区和所述第二硬掩模区都基本上由相同的材料组成，并且在所述光掩模坯的图案化之前，所述第二硬掩模区具有所述第一硬掩模区的厚度的至少1.5倍的厚度。