[发明专利]半导体装置及使用半导体装置的电力转换装置

权利要求书

1.一种半导体装置，通过在半导体基板上将第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、具有比所述第二半导体层的载流子浓度低的载流子浓度的第二导电型的第三半导体层、以及第一绝缘膜以各层在法线方向上层叠的方式层叠成所述第二半导体层位于所述第一半导体层及所述第三半导体层之间且所述第三半导体层位于所述第二半导体层及所述第一绝缘膜之间而形成，所述半导体装置的特征在于，

所述第三半导体层具备多个绝缘栅极，所述多个绝缘栅极配置成相互的间隔为至少宽窄两种间隔，

所述绝缘栅极在各自的周围具备第二绝缘膜，

在以窄间隔配置的所述绝缘栅极彼此之间具备第一导电型的第四半导体层和第二导电型的第五半导体层，并且，所述第四半导体层的一面侧与所述第三半导体层邻接，所述第四半导体层的另一面侧与所述第五半导体层邻接，

在以宽间隔配置的所述绝缘栅极彼此之间具备第一导电型的第六半导体层，该第六半导体层通过隔着所述第三半导体层的一部分而与所述绝缘栅极分离，且所述第六半导体层与所述第一绝缘膜邻接，

进而，所述半导体装置还具备：

第一导电体层，其设在与所述第六半导体层对应的位置上且与该第六半导体层平行，并且通过所述第一绝缘膜与所述第六半导体层绝缘；

第一电极，其与所述第四半导体层、所述第五半导体层、所述第一导电体层电连接；

第二电极，其与所述第一半导体层的与所述第二半导体层相反的一侧的面电连接，

第三电极，其与所述绝缘栅极电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一导电体层由多结晶硅构成。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一绝缘膜比所述第二绝缘膜厚。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一绝缘膜的厚度为300nm以上。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一导电体层延伸到所述第六半导体层与绝缘栅极之间。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第六半导体层比所述第四半导体层深。

7.根据权利要求1至6中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第六半导体层经由电阻机构与所述第一电极电连接。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述电阻机构使用所述第六半导体层形成。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第三半导体层与所述第四半导体层之间具备第二导电型的第七半导体层。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第三半导体层与所述第七半导体层之间具备第一导电型的第八半导体层。