[发明专利]生产全息膜的方法有效
申请号: | 201080060482.X | 申请日: | 2010-11-02 |
公开(公告)号: | CN102870157A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | D.赫内尔;M-S.韦泽;F-K.布鲁德;T.罗勒;T.费克 | 申请(专利权)人: | 拜尔材料科学股份公司 |
主分类号: | G11B7/245 | 分类号: | G11B7/245;G11B7/24044;G03H1/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 石克虎;林森 |
地址: | 德国莱*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 生产 全息 方法 | ||
1.用于生产全息膜的方法,其中
i) 提供光聚合物制剂,作为组分,其包含
A) 基质聚合物
B) 书写单体
C) 光引发剂体系
D) 任选地,不可光聚合的组分
E) 和任选地,催化剂、自由基稳定剂、溶剂、添加剂和其它助剂和/或添加物
ii) 将所述光聚合物制剂以薄膜形式大面积地施加到载体膜上,和
iii) 所述光聚合物制剂在载体膜上在60 < T < 120℃的温度干燥,
其中作为光聚合物制剂的组分仅选择TGA 95值> 100℃并比温度T高至少30℃的化合物并使用具有≥ 0.030 MPa的平台模量的光聚合物制剂。
2.根据权利要求1的方法,其特征在于所述光聚合物制剂在70 < T < 100℃的温度干燥。
3.根据权利要求1或2的方法,其特征在于通过将大约10毫克的各组分样品称入体积为70微升的小铝盘中、将小铝盘引入热天平,优选来自Mettler-Toledo的TG50热天平的炉中,并在20 K/min的恒定炉加热速率下测量敞口小铝盘中的样品质量损失来测定各组分的TGA 95值,其中炉开始温度为30℃且最终温度为600℃,在测定过程中用200 ml/min量的氮气流吹扫该炉,并测定相对于样品初始的称入重量发生5重量%的样品质量损失时的温度作为各组分的TGA 95值。
4.根据权利要求1至3任一项的方法,其特征在于使用具有≥ 0.03 MPa和≤ 1 MPa,优选≥ 0.05 MPa和≤ 1 MPa,特别优选≥ 0.1 MPa和≤ 1 MPa,尤其优选 ≥ 0.1 MPa和≤ 0.6 MPa的平台模量的光聚合物制剂。
5.根据权利要求1至4任一项的方法,其特征在于在步骤iii)中的干燥后在所述薄膜上施加层压膜。
6.根据权利要求5的方法,其特征在于所述薄膜与所述层压膜一起卷绕。
7.根据权利要求1至6任一项的方法,其特征在于所述基质聚合物是聚氨酯。
8.根据权利要求7的方法,其特征在于所述聚氨酯能通过使异氰酸酯组分a)与异氰酸酯反应性组分b)反应获得。
9.根据权利要求1至8任一项的方法,其特征在于所述书写单体是丙烯酸酯和/或甲基(丙烯酸酯)。
10.根据权利要求1至9任一项的方法,其特征在于使用单官能和多官能书写单体的组合作为书写单体。
11.根据权利要求10的方法,其特征在于单官能书写单体具有通式(II)
(II)
其中R1、R2、R3、R4、R5在每种情况下彼此独立地为氢或卤素原子或C1-C6-烷基、三氟甲基、C1-C6-烷基硫基、C1-C6-烷基硒基、C1-C6-烷基碲基或硝基,条件是基团R1、R2、R3、R4、R5的至少一个取代基不是氢,R6、R7在每种情况下本身是氢或C1-C6-烷基,且A是饱和或不饱和或线型或支链的C1-C6-烷基或聚环氧乙烷基团或聚环氧丙烷基团,在每种情况下在聚合物链中具有2-6个重复单元,且该单官能书写单体优选具有< 0℃的玻璃化转变温度TG和优选在405 nm > 1.50的折射率。
12.根据权利要求11或12的方法,其特征在于多官能书写单体具有通式(III)
(III)
其中n≥ 2且n≤ 4,且R8、R9是氢和/或彼此独立地,是未取代或任选也被杂原子取代的线型、支链、环状或杂环有机基团,所述多官能书写单体优选具有在405 nm > 1.50的折射率。
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