[发明专利]含杂环的非对称性芳香族化合物、有机薄膜晶体管用化合物、以及使用它的有机薄膜晶体管

权利要求书

1.一种以下式(I)表示的化合物：

式中，R¹～R¹⁴分别是氢原子、卤素原子、碳数2～30的烷基、碳数3～30的烯基、碳数2～30的炔基、碳数1～30的卤代烷基、碳数1～30的烷氧基、碳数1～30的卤代烷氧基、碳数1～30的烷硫基、碳数1～30的卤代烷硫基、碳数1～30的烷基氨基、碳数2～60的二烷基氨基、碳数6～60的芳基氨基、碳数1～30的烷基磺酰基、碳数1～30的卤代烷基磺酰基、碳数6～60的芳香族烃基、碳数3～60的芳香族杂环基、碳数3～20的烷基甲硅烷基、碳数5～60的烷基甲硅烷基乙炔基或氰基，这些基团也可以还具有取代基；

所述碳数2～60的二烷基氨基的2个烷基可以相互结合而形成含有氮原子的环状结构；

其中，不存在R¹～R¹⁴全部为氢原子的情况。

2.根据权利要求1所述的化合物，其中，

R¹～R¹⁴的至少1个是选自碳数3～30的烯基、碳数2～30的炔基、碳数1～30的卤代烷基、碳数1～30的卤代烷氧基、碳数1～30的烷硫基、碳数1～30的卤代烷硫基、碳数1～30的烷基氨基、碳数2～60的二烷基氨基、碳数6～60的芳基氨基、碳数1～30的烷基磺酰基、碳数1～30的卤代烷基磺酰基、碳数3～20的烷基甲硅烷基、碳数5～60的烷基甲硅烷基乙炔基以及氰基中的基团。

3.一种以下式(A-1)表示的有机薄膜晶体管用化合物：

式中，R¹～R¹⁴分别是氢原子、卤素原子、碳数1～30的烷基、碳数2～30的烯基、碳数2～30的炔基、碳数1～30的卤代烷基、碳数1～30的烷氧基、碳数1～30的卤代烷氧基、碳数1～30的烷硫基、碳数1～30的卤代烷硫基、碳数1～30的烷基氨基、碳数2～60的二烷基氨基、碳数6～60的芳基氨基、碳数1～30的烷基磺酰基、碳数1～30的卤代烷基磺酰基、碳数6～60的芳香族烃基、碳数3～60的芳香族杂环基、碳数3～20的烷基甲硅烷基、碳数5～60的烷基甲硅烷基乙炔基或氰基，这些基团也可以还具有取代基；

所述碳数2～60的二烷基氨基的2个烷基可以相互结合而形成含有氮原子的环状结构；

其中，不存在R¹～R¹⁴全部为氢原子的情况。

4.一种以下式(A-2)表示的有机薄膜晶体管用化合物：

R¹、R²、R⁷、R⁸、R⁹、R¹⁰以及R¹⁴与式(A-1)的R¹、R²、R⁷、R⁸、R⁹、R¹⁰以及R¹⁴相同。

5.一种含有权利要求3或4所述的有机薄膜晶体管用化合物的有机薄膜晶体管。

6.一种有机薄膜晶体管，其是在基板上至少设有栅电极、源电极及漏电极这3个端子、绝缘体层以及有机半导体层并通过对栅电极施加电压来控制源极-漏极间电流的有机薄膜晶体管，其中，

所述有机半导体层含有权利要求3或4所述的有机薄膜晶体管用化合物。

7.一种具有权利要求5或6所述的有机薄膜晶体管的装置。