[发明专利]直列式涂覆设备

权利要求书

1.一种用于等离子体增强的化学气相沉积的直列式涂覆设备，该直列式涂覆设备包括至少一个加工室（1，2），该加工室具有在基底（13）穿过该加工室（1，2）的输送方向上依次安排的至少两个等离子体源，其特征在于该至少两个等离子体源是不同的等离子体源（6，7），其中该至少两个等离子体源（6，7）是在不同的激发频率下工作的等离子体源。

2.如权利要求1所述的直列式涂覆设备，其特征在于该至少两个等离子体源（6，7）中的至少一个是以脉冲激发频率来工作的等离子体源。

3.如以上权利要求中任一项所述的直列式涂覆设备，其特征在于该至少两个等离子体源（6、7）具有至少一个在直流直至100MHz的范围内工作的第一等离子体源（6）以及至少一个在100MHz到几个GHz的范围内工作的第二等离子体源（7）。

4.如权利要求3所述的直列式涂覆设备，其特征在于该第一等离子体源（6）是在50KHz到13.56MHz的范围内工作的等离子体源，而该第二等离子体源（7）是在915MHz到2.45GHz的范围内工作的等离子体源。

5.如权利要求3或4所述的直列式涂覆设备，其特征在于该至少一个第一等离子体源（6）在这些基底（13）穿过该加工室（1，2）的输送方向上被安排在该至少一个第二等离子体源（7）的上游。

6.如权利要求3到5中任一项所述的直列式涂覆设备，其特征在于该至少一个第一等离子体源（6）是一个RF等离子体源或ICP等离子体源，并且特征在于该至少一个第二等离子体源（7）是一个微波等离子体源。

7.如以上权利要求中任一项所述的直列式涂覆设备，其特征在于该至少两个等离子体源（6，7）包括线性可扩缩的等离子体源。

8.如以上权利要求中任一项所述的直列式涂覆设备，其特征在于该至少两个等离子体源（6，7）是以一种线性安排进行组合的点源或圆对称的源，其中所述等离子体源之间的距离被选择成使得其单独的等离子体在这些基底（13）的表面处被重叠以形成公共的等离子体。

9.如以上权利要求中任一项所述的直列式涂覆设备，其特征在于这些等离子体源（6，7）中的至少两个被组合而形成至少一个组。

10.如以上权利要求中任一项所述的直列式涂覆设备，其特征在于该至少两个等离子体源（6，7）具有分开的气体供应。

11.如以上权利要求中任一项所述的直列式涂覆设备，其特征在于该至少两个等离子体源（6、7）和/或等离子体源的组各自具有分开的气体抽提。

12.如权利要求11所述的直列式涂覆设备，其特征在于该分开的气体抽提具有一个空间，出现的排气流可以在这些等离子体源中每个单独的等离子体源处的两侧上的通过抽吸作用而被抽提到该空间中。

13.如以上权利要求中任一项所述的直列式涂覆设备，其特征在于在这些单独的等离子体源（6、7）和/或等离子体源的组之间安排了多个传导筛。

14.如以上权利要求中任一项所述的直列式涂覆设备，其特征在于该直列式涂覆设备包括一个用于这些基底（13）的输送系统，该输送系统具有至少一个用于这些基底（13）的输送速度和/或输送方向的控制模块。

15.如以上权利要求中任一项所述的直列式涂覆设备，其特征在于该直列式涂覆设备包括至少一个加热和/或冷却装置（95，96），通过该装置，这些基底（13）和/或基底载体（10，101）可以根据它们在该直列式涂覆设备中的位置而不同地被加热和/或冷却。

16.如以上权利要求中任一项所述的直列式涂覆设备，其特征在于这些不同的等离子体源被安排在该加工室（1，2）中这些基底（13）的一侧和/或两侧上。