[发明专利]用于沉积多层式层和/或梯度层的方法

权利要求书

1.一种用于在直列式等离子体涂覆设备中借助于等离子体增强的化学气相沉积将多层式层和/或梯度层沉积到至少一个基底（9）上的方法，该直列式等离子体涂覆设备包含至少一个加工室（1），其中在这些基底（9）的输送方向上依次安排了至少两个单独的等离子体源（2，4，5，6），其特征在于该至少两个等离子体源（2，4，5，6）是以不同的过程条件、在10kHz与2.45GHz之间的激发频率下来工作的，该至少两个等离子体源中的至少一个在此情况下是脉冲式的，并且该基底（9）被连续地输送穿过这些单独的等离子体源（2，4，5，6）的涂覆区域，其中在该基底（9）上沉积了至少一个限定的、两层的、具有这些单独层（21，22，23；31，32，33）的不同层特性的层堆叠和/或至少一个限定的梯度层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于当该至少两个等离子体源（2，4，5，6）以不同的过程条件工作时，该至少两个等离子体源是以不同的电气工作条件来工作的。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于该至少两个等离子体源（2，4，5，6）以不同的电气工作条件进行工作包括使用不同的等离子体激发频率、不同的有效电功率和/或不同的脉冲参数。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于使用不同的脉冲参数包括使用不同的脉冲频率、峰值功率和/或脉冲接通持续时间。

5.如以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于这些等离子体源（2，4；5，6）中的至少两个互连而形成了一个或多个组，并且一组的等离子体源是以相同的过程条件来工作的。

6.如以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于使用具有专门的气体供应和电源的线性可扩缩的等离子体源。

7.如以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于这两个等离子体源（2，4）中的至少一个是以10kHz至300MHz的等离子体激发频率来工作的，并且该两个等离子体源（5，6）中的至少另一个是以100MHz至2.45GHz的等离子体激发频率来工作的。

8.如以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于该至少两个等离子体源（2，4，5，6）是用脉冲电源来工作的，其中这些供应功率彼此是同相的或相偏离的。

9.如以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于在输送穿过这些等离子体源（2，4，5，6）的、处于最大600°C的相同限定基底温度下的不同涂覆区域的过程中涂覆了多个基底（9）。

10.如以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于通过安排在这些单独的等离子体源（2，4，5，6）之间的传导筛来减少气体混合物。

11.如以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于该多层式层和/或该梯度层是用于晶体硅太阳能电池的一个减反射涂层，该减反射涂层由至少两个具有不同的层组成和层厚度的氮化硅层（21，22，23）构成，其中一个第一氮化硅层（21）的沉积方式是使得它充当了该基底上的一个表面钝化层，并且一个第二氮化硅层（22）在该第一氮化硅层上的沉积方式是使得它充当了氢源并且与该第一氮化硅层（21）一起满足了λ/4减反射涂层做出的要求。

12.如以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于形成了一个两层的多层式层，该多层式层包括以第一涂覆速率沉积的一个第一层（21）以及以与之相比较高的第二涂覆速率沉积的一个第二层（22）。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于该第一层（21）是借助于以10kHz至13.56MHz范围内的等离子体激发频率工作的RF等离子体源来沉积的，并且该第二层（22）是借助于以915MHz或2.45GHz的等离子体激发频率工作的微波等离子体源来沉积的。

14.如以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于在沉积该多层式层和/或该梯度层的一个第一层（21，31）之前，在同样进行了该等离子体涂覆的该同一加工室（1）中进行该基底（9）的基底表面的等离子体预处理。

15.如以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于直接在沉积该多层式层和/或该梯度层之后，在同样进行了该等离子体涂覆的该同一加工室（1）中进行一种基底再处理。

16.如权利要求14所述的方法，其特征在于该等离子体预处理包括一种等离子体氧化。