[发明专利]外延片以及半导体元件有效
| 申请号： | 201080060769.2 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102714143A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 大塚健一;黑田研一;渡边宽;油谷直毅;炭谷博昭 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;C23C16/42;C30B25/20;C30B29/36;H01L21/205;H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 以及 半导体 元件 | ||
1.一种外延片，其特征在于，具有：
第1导电类型的碳化硅基板，以浓度C掺杂了通过掺杂会使晶格常数减小的掺杂物；
第1导电类型的缓冲层，设置在所述碳化硅基板上，并掺杂了所述掺杂物；以及
第1导电类型的碳化硅外延生长层，设置在所述缓冲层上，以比所述碳化硅基板小的浓度掺杂了所述掺杂物，其中，
以层叠了2层以上的厚度大致相同的层而成的多层构造来形成所述缓冲层，所述缓冲层相对所述多层构造的层数N，从所述碳化硅外延生长层侧起第K个层的掺杂浓度是C·K/（N+1）。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，
所述掺杂物是氮。
3.根据权利要求1或者2所述的外延片，其特征在于，
所述缓冲层的层厚是100nm以下。
4.一种半导体元件，其特征在于，具有：
第1导电类型的碳化硅基板，以浓度C掺杂了通过掺杂会使晶格常数减小的掺杂物；
第1导电类型的缓冲层，设置在所述碳化硅基板上，并掺杂了所述掺杂物；以及
第1导电类型的碳化硅外延生长层，设置在所述缓冲层上，以比所述碳化硅基板小的浓度掺杂了所述掺杂物，其中，
以层叠了2层以上的厚度大致相同的层而成的多层构造来形成所述缓冲层，所述缓冲层相对所述多层构造的层数N，从所述碳化硅外延生长层侧起第K个层的掺杂浓度是C·K/（N+1），
所述碳化硅外延生长层是漂移层。
5.根据权利要求4所述的半导体元件，其特征在于，
所述掺杂物是氮。
6.根据权利要求4或者5所述的半导体元件，其特征在于，
所述缓冲层的层厚是100nm以下。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
