[发明专利]隧道结过孔

权利要求书

1.一种形成隧道结TJ电路的方法，该方法包括：

形成底部布线层；

形成接触底部布线层的多个TJ；

与多个TJ的形成同时形成多个隧道结过孔TJV，所述TJV接触底部布线层；以及

形成接触多个TJ和多个TJV的顶部布线层。

2.如权利要求1所述的方法，还包括与多个TJ分离地电寻址多个TJV。

3.如权利要求2所述的方法，还包括使多个TJV经受配置为引起多个TJV短路击穿的电压。

4.如权利要求1所述的方法，还包括形成多个TJV，使得多个TJV包括至少一个凹表面。

5.如权利要求4所述的方法，其中，形成多个TJ以及多个TJV包括刻蚀，以及多个TJV的至少一个凹表面配置为在刻蚀期间捕获刻蚀的材料，以便减小多个TJV的电阻。

6.如权利要求4所述的方法，其中，形成多个TJ以及多个TJV包括刻蚀，以及多个TJV的至少一个凹表面配置为在刻蚀期间捕获刻蚀的材料，以便当经受配置为引起多个TJV的短路击穿的电压时，引起多个TJV结构的短路击穿。

7.如权利要求1所述的方法，其中，多个TJV的至少一个大于多个TJ的至少一个。

8.如权利要求1所述的方法，其中，底部布线层包括前段制程FEOL布线层，以及顶部布线层包括后段制程BEOL布线层。

9.如权利要求1所述的方法，其中，多个TJ以及多个TJV每个包括由隧道势垒分离的两层导电材料。

10.一种包括多个隧道结TJ的电路，该电路包括：

接触多个TJ的底部布线层，底部布线层还接触多个隧道结过孔TJV，其中，多个TJ和多个TJV包括相同的材料；以及

接触多个TJ和多个TJV的顶部布线层。

11.如权利要求10所述的电路，其中，多个TJV是与多个TJ分离地电可寻址的。

12.如权利要求10所述的电路，其中，多个TJV的至少一个包括短路。

13.如权利要求10所述的电路，其中，多个TJV的至少一个大于多个TJ的至少一个。

14.如权利要求10所述的电路，其中，多个TJV的至少一个包括至少一个凹表面。

15.如权利要求14所述的电路，其中，通过刻蚀形成多个TJ和多个TJV，以及多个TJV的至少一个凹表面配置为在刻蚀期间捕获刻蚀的材料。

16.如权利要求10所述的电路，其中，底部布线层包括前段制程FEOL布线层，以及顶部布线层包括后段制程BEOL布线层。

17.如权利要求10所述的电路，其中，多个TJ和多个TJV每个包括通过隧道势垒分离的两层导电材料。

18.一种隧道结过孔TJV，所述隧道结过孔为了夹层低电阻连接的目的，将顶部布线层连接到底部布线层，所述隧道结过孔包括：

第一层导电材料；

第一层导电材料顶部上的隧道势垒；以及

隧道势垒顶部上的第二层导电材料，其中，TJV包括顶部布线层和底部布线层之间的低电阻连接。

19.如权利要求18所述的隧道结过孔TJV，其中，TJV包括至少一个凹表面。

20.如权利要求19所述的隧道结过孔TJV，其中，通过刻蚀形成TJV，以及TJV的至少一个凹表面配置为在刻蚀期间捕获刻蚀的材料。