[发明专利]场旋转双向磁位置传感器

权利要求书

1.一种至少两个方向的磁位置传感器，包括：至少一个磁化元件（1）和探测装置（6），所述探测装置（6）包括至少两个磁敏元件（2）和（3），所述磁敏元件（2）和（3）基本上位于同一点并且其中的每一个测量由所述磁化元件（1）产生的磁场的一个分量，所述磁化元件（1）相对于所述磁敏元件（2）和（3）可移动；以及至少一个处理电路（5），其能够根据磁场分量的代数组合进行角度和模的计算，并提供代表活动元件分别沿所述两个方向中的一个方向和另一个方向的位置的至少两个独立信号，

其特征在于，按照所述磁化元件的尺度中的至少第一尺度，所述磁化元件（1）的磁化矢量相对于所述磁化元件对着所述探测装置（6）设置的的表面的法向矢量是可变的，以按照所述第一尺度确定所述探测装置（6）相对于所述磁化元件（1）的唯一位置。

2.按照权利要求1所述的磁位置传感器，其特征在于，所述磁化元件的所述磁化矢量的方向按照所述磁化元件的至少一个尺度可变。

3.按照权利要求2所述的磁位置传感器，其特征在于，所述磁化矢量的方向在被测行程上具有多个周期。

4.按照上述权利要求中至少一项所述的磁位置传感器，其特征在于，所述磁化元件的尺度之一沿所述两个方向中的至少一个方向可变，引起所述法向矢量的方向的变化。

5.按照权利要求4所述的磁位置传感器，其特征在于，所述尺度按照不连续函数改变。

6.按照权利要求4所述的磁位置传感器，其特征在于，所述磁化元件的所述尺度基本上按照正弦函数改变。

7.按照上述权利要求中任意一项所述的磁位置传感器，其特征在于，所述磁化元件的所述磁化矢量的幅度沿所述两个方向中的至少一个方向可变。

8.按照权利要求1所述的磁位置传感器，其特征在于，所述磁化矢量的方向保持恒定且其幅度沿所述两个方向中的至少一个方向，按照正弦方式改变。

9.按照权利要求1所述的磁位置传感器，其特征在于，沿所述两个方向中的至少一个方向，所述磁化元件的所述磁化矢量具有至少一次方向交换。

10.按照上述权利要求中至少一项所述的磁位置传感器，其特征在于，所述信号处理电路实现至少2次反正切计算。

11.按照上述权利要求中至少一项所述的磁位置传感器，其特征在于，所述信号处理电路实现至少一次反正切计算和一次模计算。

12.按照上述权利要求中至少一项所述的磁位置传感器，其特征在于，通过在两个磁场分量之间应用修正系数之后，计算这两个分量之比的反正切，来实现沿至少一个方向的位置计算。

13.按照上述权利要求中至少一项所述的磁位置传感器，其特征在于，所述处理电路与所述磁敏元件被集成在单个组件上。

14.按照上述权利要求中至少一项所述的磁位置传感器，其特征在于，所述磁化元件由永磁体和至少一个铁磁部件构成。

15.按照上述权利要求中至少一项所述的磁位置传感器，其特征在于，所测量的磁场分量沿至少两个方向中的每一个方向，基本上按照正弦方式改变。