[发明专利]III族氮化物半导体激光器元件、制作III族氮化物半导体激光器元件的方法及评估因形成刻划槽所致损伤的方法

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体激光器元件，其包括：

激光器构造体，其包括由六方晶系III族氮化物半导体构成且具有半极性主面的支撑基体、及设于上述支撑基体的上述半极性主面上的半导体区域；及

电极，其设于上述激光器构造体的上述半导体区域上，

上述法线轴与上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴所成的角度，处于45度以上80度以下或者100度以上135度以下的范围，

上述半导体区域包括由第1导电型氮化镓系半导体构成的第1包覆层、由第2导电型氮化镓系半导体构成的第2包覆层、以及设于上述第1包覆层与上述第2包覆层之间的活性层，

上述第1包覆层、上述第2包覆层以及上述活性层沿上述半极性主面的法线轴而排列，

上述活性层含有氮化镓系半导体层，

上述支撑基体的上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴，相对于上述法线轴而向上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴的方向以角度ALPHA倾斜，

上述激光器构造体包含与m-n面交叉的第1以及第2切断面，该m-n面由上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴以及上述法线轴所界定，

该III族氮化物半导体激光器元件的激光谐振器包含上述第1以及第2切断面，

上述第1以及第2切断面分别自上述第1面的边缘延伸至上述第2面的边缘，

上述激光器构造体包含第1以及第2面，上述第1面为上述第2面的相反侧的面，

上述半导体区域位于上述第1面与上述基板之间，

上述激光器构造体含有在上述支撑基体的上述半极性主面上在波导轴的方向延伸的激光条纹，上述波导轴自上述第1以及第2切断面中的一方朝向另一方延伸，

上述激光器构造体中，在上述第1切断面上具有在上述第1面的上述边缘的一部分设置的第1以及第2凹部，该第1以及第2凹部自上述激光器构造体的上述第1面延伸，该第1以及第2凹部的底端与上述激光器构造体的上述第2面的边缘隔开，

上述第1凹部具有设于上述第1面上的端部，并且上述第2凹部具有设于上述第1面上的端部，

上述激光条纹与上述第1凹部的上述端部间的第1间隔，小于上述激光条纹与上述第2凹部的上述端部间的第2间隔。

2.如权利要求1所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，上述第1以及第2凹部沿预定的a-n面而设置，该a-n面由上述六方晶系III族氮化物半导体的a轴以及上述法线轴所界定。

3.如权利要求1或2所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，

上述第1间隔为20微米以上，

上述第1间隔小于50微米。

4.如权利要求1至3中任一项所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，

上述第1间隔小于50微米，

上述第2间隔为50微米以上。

5.如权利要求1至4中任一项所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，上述III族氮化物半导体激光器元件的宽度为200微米以下。

6.如权利要求1至5中任一项所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，

在上述第1以及第2切断面各自出现上述支撑基体的端面以及上述半导体区域的端面，

上述半导体区域的上述活性层中的端面、与正交于由上述六方晶系氮化物半导体构成的支撑基体的m轴的基准面所成的角度，在由上述III族氮化物半导体的c轴以及m轴所界定的第1平面中成(ALPHA-5)度以上(ALPHA+5)度以下的范围的角度。

7.如权利要求1至6中任一项所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，上述角度在与上述第1平面以及上述法线轴正交的第2平面中处于-5度以上+5度以下的范围。

8.如权利要求1至7中任一项所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，上述法线轴与上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴所成的角度，处于63度以上80度以下或者100度以上117度以下的范围。

9.如权利要求1至8中任一项的III族氮化物半导体激光器元件，其中，上述支撑基体的厚度为400μm以下。

10.如权利要求1至9中任一项所述的III族氮化物半导体激光器元件，其中，上述支撑基体的厚度为50μm以上100μm以下。