[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

多个源极位线，在第一方向上延伸；

多个第一信号线，在所述第一方向上延伸；

多个第二信号线，在第二方向上延伸；

多个字线，在所述第二方向上延伸；

多个存储器单元，并联连接在所述多个源极位线之间；

第一驱动器电路，电连接到所述多个源极位线；

第二驱动器电路，电连接到所述多个第一信号线；

第三驱动器电路，电连接到所述多个第二信号线；以及

第四驱动器电路，电连接到所述多个字线，

其中所述多个存储器单元中的一个包括：

第一晶体管，包括第一栅极电极、第一源极电极和第一漏极电极；

第二晶体管，包括第二栅极电极、第二源极电极和第二漏极电极；以及

电容器，

其中所述第二晶体管包括氧化物半导体材料，

其中所述第一栅极电极、所述第二源极电极和第二漏极电极中的一个、以及所述电容器的一个电极彼此电连接，

其中所述多个源极位线中的一个与所述第一源极电极彼此电连接，

其中与所述多个源极位线中的所述的一个相邻的所述多个源极位线中的另一个与所述第一漏极电极彼此电连接，

其中所述多个第一信号线中的所述的一个与所述第二源极电极和第二漏极电极中的另一个彼此电连接，

其中所述多个第二信号线中的一个与所述第二栅极电极彼此电连接，以及

其中所述多个字线中的一个与所述电容器的另一电极彼此电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一晶体管包括单晶硅。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一晶体管包括：

第一沟道形成区域，包括与氧化物半导体不同的半导体材料；

杂质区域，与所述第一沟道形成区域相邻；

在所述第一沟道形成区域上的第一栅极绝缘层；

在所述第一栅极绝缘层上的所述第一栅极电极；以及

电连接到所述多个杂质区域的所述第一源极电极和所述第一漏极电极。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二晶体管包括：

所述第一晶体管之上的所述第二源极电极和所述第二漏极电极；

第二沟道形成区域，包括所述氧化物半导体材料，并且电连接到所述第二源极电极和所述第二漏极电极；

所述第二沟道形成区域上的第二栅极绝缘层；以及

所述第二栅极绝缘层上的所述第二栅极电极。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述电容器包括：

所述第二源极电极或所述第二漏极电极；

氧化物半导体层，包括所述氧化物半导体材料；

所述第二栅极绝缘层；以及

所述第二栅极绝缘层上的电容器电极。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体装置设置在膝上型计算机、便携式信息终端、电子书阅读器、移动电话、数字相机和电视装置之一中。