[发明专利]一种用于生产用于医疗领域中的放射性同位素的设备

权利要求书

1.一种用于生产放射性同位素的方法，包括

将NEU材料引入到辐照室中，所述辐照室具有一个或多个由中子反射材料形成的壁；

用能量高于800keV的中子辐照所述NEU材料，以在所述NEU材料中引发快中子裂变反应，并生成裂变产物，其中：

来自所述辐照的至少一些中子被所述一个或多个壁中的至少一个壁反射，从而增大这些中子在所述NEU材料中经过的路径长度；并且

增大的所述路径长度增大了所述NEU材料中所述中子引起快中子裂变反应的几率；以及

从所述NEU材料提取所述裂变产物。

2.如权利要求1所述的方法，其中所提取的所述裂变产物中的一种包括钼-99(Mo-99)和锝-99m(Tc-99m)中的至少一种。

3.如权利要求1所述的方法，其中所提取的所述裂变产物中的一种包括碘131(I-131)和碘132(I-132)中的至少一种。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述辐照室中的所述NEU材料占据单个空间连续区域。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述辐照室中的所述NEU材料占据多个空间上不相交的区域。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个由中子反射材料形成的壁包括所述辐照室的至少一个内壁。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个由中子反射材料形成的壁包括包围所述辐照室中所有的所述NEU材料的外壁。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个由中子反射材料形成的壁包括：

所述辐照室的至少一个内壁；以及

包围所述辐照室中所有的所述NEU材料的外壁。

9.一种用于生产放射性同位素的方法，包括：

提供一定量的NEU材料；

用中子反射材料将所述NEU材料散布开；

用额外的中子反射材料包围所述量的NEU材料；

用中子吸收材料包围所述额外的中子反射材料；以及

用能量高于裂变阈值的中子辐照所述NEU材料，以在所述NEU材料中引发快中子裂变反应，并生成裂变产物，其中：

对于至少一些中子，所述中子反射材料延长这些中子保留在所述量的NEU材料内的时间，从而增加在这些中子碰到所述中子吸收材料之前由这些中子引起的快中子裂变反应的数量。

10.如权利要求9所述的方法，还包括从所述NEU材料提取所述裂变产物。

11.如权利要求10所述的方法，其中提取所述裂变产物中的至少一种需要从所述辐照室取出所述NEU材料。

12.如权利要求10所述的方法，其中提取所述裂变产物中的至少一种不需要从所述辐照室取出所述NEU材料。

13.一种用于生产放射性同位素的设备，包括：

快中子发生器；以及

多个由中子反射材料制成的间隔开的壳，其中：

所述壳包括最外侧的壳，

所述壳包围所述中子发生器，并且

相邻壳之间的空间提供多个区域，所述多个区域被构成来接纳NEU，以由所述中子发生器生成的中子来辐照。

14.如权利要求13所述的设备，其中所述最外侧的壳的比其余的壳厚。

15.如权利要求13所述的设备，还包括外部安全壳，所述外部安全壳具有一个或多个由中子吸收材料制成的壁，以吸收穿透出所述最外侧的壳的中子。

16.如权利要求13所述的设备，其中所述中子发生器提供具有至少10MeV的能量的中子。

17.如权利要求15所述的设备，其中所述外部安全壳的所述壁与所述最外侧的壳间隔开，以限制从所述外部安全壳的所述壁散射或反射的中子将碰到所述最外侧的壁的可能性。

18.一种用于生产放射性同位素的设备，包括：

快中子发生器；

辐照室，其具有NEU可被引入其中的一个或多个区域；以及

一个或多个中子反射区域，其布置在所述辐照室中或围绕所述辐照室布置，其中所述一个或多个中子反射区域被构成来增大来自所述中子发生器的至少一些中子在离开所述辐照室之前所行进的路径长度。