[发明专利]芳香族聚酰亚胺膜、层压板以及太阳能电池有效
申请号: | 201080061787.2 | 申请日: | 2010-11-19 |
公开(公告)号: | CN102712768A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 山口裕章;宫本贵男;饭泉畅;川岸健 | 申请(专利权)人: | 宇部兴产株式会社 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;B29C41/24;B29C41/46;B32B15/088;C08G73/10;H01L31/04;C23C14/24;C23C14/34 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 日本山口*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芳香族 聚酰亚胺 层压板 以及 太阳能电池 | ||
1.一种由3,3′,4,4′-联苯四羧酸二酐作为主要组分的芳香族四羧酸组分和对苯二胺作为主要组分的芳香族二胺组分制得的聚酰亚胺膜;其中
在25℃至500℃的升温步骤中,基于热处理前25℃时的尺寸,该聚酰亚胺膜的最大尺寸变化在+0.6%至+0.9%的范围内,不包括+0.6%。
2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺膜,其中,在20分钟500℃的热处理之后,该聚酰亚胺膜的失重等于或小于1重量%的范围内。
3.根据权利要求1或2所述的聚酰亚胺膜,其中,在25℃至500℃时,该聚酰亚胺膜的热膨胀系数在10ppm/℃至20ppm/℃的范围内,不包括10ppm/℃。
4.根据权利要求1-3任一所述的聚酰亚胺膜,其中,该聚酰亚胺膜的厚度在7.5μm至75μm的范围内。
5.一种包括根据权利要求1-4任一所述的聚酰亚胺膜和金属层的层压板,其中,该金属层形成在该聚酰亚胺膜表面或上面。
6.根据权利要求5所述的层压板,其中,金属层包括钼。
7.根据权利要求5或6所述的层压板,其中,金属板通过溅射或气相沉积形成。
8.一种包括根据权利要求1-4中任一所述的聚酰亚胺膜作为基板的CIS太阳能电池,进一步包括在该基板表面或上面的至少一个导电金属层以及黄铜矿半导体层。
9.一种通过热亚胺化反应生产聚酰亚胺膜的方法,包括:
使由3,3′,4,4′-联苯四羧酸二酐作为主要组分的芳香族四羧酸组分和对苯二胺作为主要组分的芳香族二胺组分在溶剂中反应以提供聚酰亚胺前体溶液的步骤;
在支撑体上流延获得的聚酰亚胺前体溶液并加热所述溶液以形成自支撑膜的步骤,即,流延步骤;以及
加热获得的自支撑膜以进行所述热亚胺化反应的步骤,即,固化步骤;
其中
在流延步骤中,该自支撑膜的失重在36%至39%的范围内,该失重通过下列公式(A)计算:
失重(%)=(W1-W2)/W1×100 (A)
其中W1表示自支撑膜的重量,W2表示固化后聚酰亚胺膜的重量;以及
在流延步骤中,最高温度(T1)等于或低于该自支撑膜热变形的温度(TM);以及
在固化步骤中,自支撑膜在低于热变形温度(TM)的温度下加热,然后增加温度,膜在470℃至540℃之间的最高热处理温度(T2)下加热。
10.根据权利要求9所述的生产聚酰亚胺膜的方法,其中所生产的聚酰亚胺膜的厚度在7.5μm至75μm的范围内。
11.根据权利要求9或10所述的生产聚酰亚胺膜的方法,其中,在流延步骤中,聚酰亚胺前体热处理中的最高温度(T1)等于或低于140℃。
12.一种生产层压板的方法,包括下列步骤:
根据权利要求9-11任一所述的生产方法生产聚酰亚胺膜;以及
在该聚酰亚胺膜表面上形成金属层。
13.一种生产CIS太阳能电池的方法,包括下列步骤:
根据权利要求9-11任一所述的生产方法生产聚酰亚胺膜;
在该聚酰亚胺膜表面上形成金属层;
在该金属层表面或上面形成黄铜矿半导体层;以及
以等于或高于450℃的温度加热。
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