[发明专利]电路基板、显示装置和电路基板的制造方法无效
申请号: | 201080061861.0 | 申请日: | 2010-10-25 |
公开(公告)号: | CN102714221A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 原义仁;中田幸伸 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/3213;H01L21/336;H01L23/52 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 路基 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种电路基板,其特征在于:
所述电路基板具有氧化物半导体层、源极配线和漏极配线,
该源极配线和该漏极配线分别具有与该半导体层接触的部分,且该源极配线的与该半导体层接触的部分和该漏极配线的与该半导体层接触的部分隔开间隔相对,并且,该源极配线和该漏极配线通过将含有铝以外的金属的层和含有铝的层层叠而形成。
2.如权利要求1所述的电路基板,其特征在于:
所述含有铝以外的金属的层含有选自钛、钽和钨中的至少一种。
3.如权利要求1或2所述的电路基板,其特征在于:
所述电路基板为薄膜晶体管阵列基板。
4.一种显示装置,其特征在于:
包括权利要求1~3中任一项所述的电路基板。
5.一种电路基板的制造方法,其特征在于:
所述电路基板具有氧化物半导体层、源极配线和漏极配线,
该制造方法包括:形成氧化物半导体层的氧化物半导体形成工序;通过将含有铝以外的金属的层和含有铝的层层叠而形成导电体层的导电体层形成工序;和通过湿式蚀刻对含有铝的层进行处理,接着通过干式蚀刻对含有铝以外的金属的层进行处理的处理工序,
该处理工序使该导电体层分离为源极配线与漏极配线,使得该源极配线与半导体层接触的部分和该漏极配线与半导体层接触的部分隔开间隔相对。
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