[发明专利]使用数量减少的验证操作来编程非易失性存储器

权利要求书

1.一种用于对于在非易失性存储系统中的一组存储元件执行编程操作的多个编程迭代的方法，包括：

对于所述组（155）的N2个编程迭代的每一个，施加编程脉冲；执行使用数据状态的偏移验证电平（VvaL,VvbL）的验证操作，所述偏移验证电平偏离所述数据状态的最后验证电平（Vva,Vvb）；以及执行使用所述最后验证电平的验证操作；以及

对于所述组的跟随所述N2个编程迭代的N3个编程迭代的每一个，施加编程脉冲；以及执行使用所述最后验证电平的验证操作，而不执行使用所述偏移验证电平的验证操作。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

确定在要被编程为所述数据状态的所述一组存储元件中的存储元件的指定部分的阈值电平何时达到所述偏移验证电平；以及

基于所述确定，开始所述N3个编程迭代的第一编程迭代。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

识别在所述一组存储元件中的存储元件的采样；

确定具有已经达到所述偏移验证电平的阈值电平的、在所述采样中的存储元件的数量；以及

如果所述数量超过阈值，则开始所述N3个编程迭代的第一编程迭代。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

识别在所述一组存储元件中的存储元件的采样，其中在所述采样中的所述存储元件的至少一个或多个要被编程为所述数据状态；

确定具有已经达到所述偏移验证电平的阈值电平的、在所述采样中的存储元件的数量；以及

如果所述数量超过阈值，则开始所述N3个编程迭代的第一编程迭代。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

确定要被编程为所述数据状态并且其阈值电平还没有达到所述偏移验证电平的存储元件的预定数量何时小于阈值数量；以及

基于所述确定，开始所述N3个编程迭代的第一编程迭代。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

识别在所述一组存储元件中的存储元件的采样；

确定具有还没有达到所述偏移验证电平的阈值电平的、在所述采样中的存储元件的数量；以及

如果所述数量落在阈值数量之下，则开始所述N3个编程迭代的第一编程迭代。

7.根据权利要求1所述的方法，其中：

对于所述组的在所述N2个编程迭代之前的N1个编程迭代的每一个，施加编程脉冲，并且执行使用所述最后验证电平的验证操作，而不执行使用所述偏移验证电平的验证操作。

8.根据权利要求7所述的方法，其中：

在所述N1个编程迭代的第一编程迭代开始后，所述N2个编程迭代的第一编程迭代开始预定数量的编程迭代。

9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

确定要被编程为所述数据状态的所述一组存储元件中的至少预定数量的存储元件何时被阻止在所述最后验证电平处进一步编程；

基于所述确定，开始所述N2个编程迭代的第一编程迭代。

10.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

识别在所述一组存储元件中的存储元件的采样；

确定具有已经达到所述最后验证电平的阈值电平的、在所述采样中的存储元件的数量；以及

如果所述数量超过阈值，则开始所述N2个编程迭代的第一编程迭代。

11.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述N2个编程迭代前对于所述组执行至少一个编程迭代，其中，施加编程脉冲，而不执行使用所述偏移验证电平的验证操作，并且不执行使用所述最后验证电平的验证操作。

12.根据权利要求1至11的任何一项所述的方法，其中：

向与所述一组存储元件进行通信的字线（WL0-WL63）施加所述编程脉冲、所述偏移验证电平和所述最后验证电平。