[发明专利]信号传递装置有效

专利信息
申请号: 201080062713.0 申请日: 2010-02-01
公开(公告)号: CN102763387A 公开(公告)日: 2012-10-31
发明(设计)人: 森下英俊;早稻仓真树 申请(专利权)人: 丰田自动车株式会社
主分类号: H04L25/02 分类号: H04L25/02
代理公司: 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 代理人: 黄威;苏萌萌
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 信号 传递 装置
【权利要求书】:

1.一种信号传递装置,其具备发送线圈和接收线圈,且发送线圈和接收线圈被电绝缘,并且从发送线圈向接收线圈传递信号,

所述信号传递装置的特征在于,

具备:

上侧第一开关,其被连接在发送线圈的第一端部和高基准电位的供给端子之间;

下侧第一开关,其被连接在第一端部和低基准电位的供给端子之间;

上侧第二开关,其被连接在发送线圈的第二端部和高基准电位的供给端子之间;

下侧第二开关,其被连接在第二端部和低基准电位的供给端子之间;

开关控制部,其对上侧第一开关、下侧第一开关、上侧第二开关、下侧第二开关中的各个开关进行控制,

并且,开关控制部实施第一控制和第二控制,其中,所述第一控制为,通过将上侧第一开关和下侧第二开关置于导通并将上侧第二开关和下侧第一开关置于断开,从而使发送线圈中于第一方向上产生线圈电流,之后响应将上侧第一开关置于断开的情况而将下侧第一开关置于导通;所述第二控制为,通过将上侧第一开关和下侧第二开关置于断开并将上侧第二开关和下侧第一开关置于导通,从而使发送线圈中于第二方向上产生线圈电流,之后响应将上侧第二开关置于断开的情况而将下侧第二开关置于导通。

2.如权利要求1所述的信号传递装置,其特征在于,

开关控制部还具备:

第一脉冲输出部,其检测出所输入的信号的上升沿而输出第一脉冲信号;

第二脉冲输出部,其检测出所输入的信号的下降沿而输出第二脉冲信号;

第一反相部,其生成使第一脉冲信号反相而成的反相第一脉冲信号;

第二反相部,其生成使第二脉冲信号反相而成的反相第二脉冲信号,

第一脉冲信号被供给至上侧第一开关,反相第一脉冲信号被供给至下侧第一开关,

并且,第二脉冲信号被供给至上侧第二开关,反相第二脉冲信号被供给至下侧第二开关。

3.如权利要求2所述的信号传递装置,其特征在于,

开关控制部还具备延迟电路,所述延迟电路为,使第一脉冲信号、第二脉冲信号、反相第一脉冲信号、反相第二脉冲信号的上升沿延迟预定时间的电路,

从延迟电路中输出的第一脉冲信号及第二脉冲信号被供给至上侧第一开关及上侧第二开关,

从延迟电路中输出的反相第一脉冲信号及反相第二脉冲信号被供给至下侧第一开关及下侧第二开关。

4.如权利要求1至权利要求3中的任意一项所述的信号传递装置,其特征在于,

还具备:

下侧第一电流路径,其与下侧第一开关并联连接;

下侧第二电流路径,其与下侧第二开关并联连接,

下侧第一电流路径的阻抗被设定为,与下侧第一开关的导通时的阻抗相比较高,

下侧第二电流路径的阻抗被设定为,与下侧第二开关的导通时的阻抗相比较高。

5.如权利要求4所述的信号传递装置,其特征在于,

下侧第一开关、下侧第二开关、下侧第一电流路径、下侧第二电流路径各自具备N沟道金属氧化物半导体晶体管,

下侧第一电流路径的N沟道金属氧化物半导体晶体管的尺寸被设定为,与下侧第一开关的N沟道金属氧化物半导体晶体管的尺寸相比较小,

下侧第二电流路径的N沟道金属氧化物半导体晶体管的尺寸被设定为,与下侧第二开关的N沟道金属氧化物半导体晶体管的尺寸相比较小,

开关控制部将下侧第一电流路径及下侧第二电流路径的N沟道金属氧化物半导体晶体管常时控制为导通状态。

6.如权利要求4或权利要求5所述的信号传递装置,其特征在于,

下侧第一开关、下侧第二开关、下侧第一电流路径、下侧第二电流路径各自具备N沟道金属氧化物半导体晶体管,

下侧第一电流路径还具备第一电阻,所述第一电阻被连接在N沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极端子上,

下侧第二电流路径还具备第二电阻,所述第二电阻被连接在N沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极端子上,

开关控制部将下侧第一电流路径及下侧第二电流路径的N沟道金属氧化物半导体晶体管常时控制为导通状态。

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