[发明专利]用铝掺杂的氧化锌涂覆基材的方法

权利要求书

1.用铝掺杂的氧化锌涂覆基材的方法，包括以下步骤：

-通过固体靶的雾化在基材表面上产生介于5nm和400nm之间厚的成核层，其包含氧化锌或掺杂的、特别是铝掺杂的氧化锌；

-产生在成核层上以半外延方式进一步生长的包含铝掺杂的氧化锌的覆盖层；以及

-湿化学法蚀刻覆盖层。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于，在基材上产生具有介于5nm到30nm之间厚度的成核层。

3.根据权利要求1或2之一的方法，其特征在于，所述成核层通过包含ZnO和含有Al₂O₃和/或任意其他掺杂物的陶瓷固体靶的高频磁控溅射而产生，其保留或至少几乎保留晶格结构。

4.根据权利要求3的方法，其特征在于，将具有ZnO和大于0重量%并小于1重量%的含量的Al₂O₃的陶瓷固体靶用于产生成核层，并且所述陶瓷固体靶通过高频磁控雾化在T＞300°C的温度下被雾化。

5.根据权利要求3的方法，其特征在于，将具有ZnO和1-2重量%含量的Al₂O₃的陶瓷固体靶用于成核层的产生，且所述陶瓷固体靶通过高频磁控雾化在T≤300°C的温度下被雾化。

6.根据权利要求1至5之一的方法，其特征在于，所述的成核层施加在基材上的沉积速率小于20nm m/min。

7.根据权利要求1或2之一的方法，其特征在于，将具有ZnO和含有Al₂O₃和/或任意其它掺杂物的陶瓷固体靶用于产生成核层，且所述陶瓷固体靶通过直流磁控溅射被雾化，其中成核层施加在基材上的沉积速率小于20nm m/min。

8.根据权利要求1至7之一的方法，其特征在于，在成核层上进一步生长的覆盖层通过包含ZnO和含有Al₂O₃的陶瓷固体靶的雾化，通过直流磁控雾化或直流脉冲磁控雾化而获得。

9.根据权利要求1至7之一的方法，其特征在于，在成核层上进一步生长的覆盖层通过包含铝掺杂的氧化锌的金属固体靶的雾化，在反应性气体工艺中通过直流磁控雾化或中频磁控雾化而产生。

10.根据权利要求1至7之一的方法，其特征在于，在成核层上进一步生长的覆盖层通过以下方法产生：

-空心阴极气流雾化；或

-蒸镀；或

-湿化学沉积；或

-常压化学气相沉积（CVD）；或

-低压-CVD（LP-CVD）；或

-常压的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）；或

-低压-PECVD。

11.根据权利要求1至10之一的经用铝掺杂的氧化锌涂覆的基材作为硅薄膜太阳能电池前接触部的应用。