[发明专利]掩蔽材料的去除无效
申请号: | 201080062933.3 | 申请日: | 2010-12-10 |
公开(公告)号: | CN103119694A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 阿里·阿法扎里-阿达卡尼;托马斯·H·鲍姆;卡尔·E·博格斯;埃马纽尔·I·库珀;道格拉斯·塞沃;马修·科恩;马默德·科加斯泰;罗纳德·W·努内斯;乔治·加布里尔·托蒂尔 | 申请(专利权)人: | 高级技术材料公司;国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/3063 | 分类号: | H01L21/3063 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 张颖;谢丽娜 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩蔽 材料 去除 | ||
1.用于去除掩蔽材料的方法,所述方法包括将所述掩蔽材料与包含铈化合物、水、和任选的至少一种其它氧化剂的溶液接触。
2.权利要求1的方法,其中在盐或配位络合物中包含铈。
3.权利要求2的方法,其中所述盐是硝酸铈铵Ce(NH4)2(NO3)6(CAN)。
4.权利要求2的方法,其中所述盐是以下的至少一种:硝酸铈、硫酸铈铵、硫酸铈、硫酸氢铈、高氯酸铈、甲磺酸铈、三氟甲磺酸铈、氯化铈、氢氧化铈、羧酸铈、β-二酮铈、三氟乙酸铈、和乙酸铈。
5.上述权利要求任一项的方法,其中所述溶液还包含至少一种稳定剂。
6.权利要求5的方法,其中所述至少一种稳定剂包括选自氯化铵、氢氧化铵、硝酸铵、硫酸铵、硫酸氢铵、羧酸铵、β-二酮铵、乙酸铵、高氯酸铵、三氟乙酸铵、甲磺酸铵、和三氟甲磺酸铵的铵盐。
7.权利要求5的方法,其中至少一种稳定剂包括三氟乙酸铵。
8.权利要求7的方法,其中通过将氨与三氟乙酸组合生成三氟乙酸铵。
9.权利要求8的方法,其中氨与三氟乙酸的摩尔比在约0.8:1至约5:1的范围内。
10.上述权利要求任一项的方法,其中溶液包含CAN和氨。
11.权利要求10的方法,其中氨与CAN的摩尔比在约1:1至约2:1的范围内。
12.权利要5的方法,其中至少一种稳定剂包括选自高氯酸、冰醋酸、硝酸、硫酸、甲磺酸、三氟甲磺酸、高碘酸、三氟乙酸、盐酸、和聚苯乙烯磺酸的至少一种酸。
13.上述权利要求任一项的方法,其中所述溶液包含基于溶液总重量约0.01至约70重量%的CAN。
14.上述权利要求任一项的方法,其中所述溶液包含基于溶液总重量约20至约30重量%的CAN。
15.上述权利要求任一项的方法,其中所述溶液包含基于溶液总重量约1至8重量%的CAN。
16.上述权利要求任一项的方法,其包括选自锰、钌、锇、铱、及其组合的至少一种其它氧化剂。
17.上述权利要求任一项的方法,其包括选自RuO4、OsO4、KMnO4、NH4MnO4、RuCl3、OsCl3、Ru(NO3)3、Os(NO3)3、Mn(NO3)2·xH2O、MnCO3、MnSO4·xH2O、Mn(C2H3O2)2·xH2O、MnCl2、MnBr2、及其组合的至少一种其它氧化剂。
18.上述权利要求任一项的方法,其包括至少一种其它氧化剂,所述至少一种其它氧化剂包括Mn(NO3)2·xH2O。
19.上述权利要求任一项的方法,其中当溶液接触掩蔽材料时,溶液的温度在约35和约90摄氏度之间。
20.上述权利要求任一项的方法,其中在将掩蔽材料与溶液接触之前,掩蔽材料已被离子植入以下至少一种:(i)大于约5x1014离子/平方厘米;和(ii)在离子影响掩蔽材料之前离子的平均能量大于约5000电子伏特(>5KeV)。
21.上述权利要求任一项的方法,其中衬底包含氮化钛。
22.电子器件,其通过将掩蔽材料与包含铈、水、和任选的至少一种其它氧化剂的溶液接触去除掩蔽材料而形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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