[发明专利]低输出阻抗的RF放大器

权利要求书

1.一种设备，包括：

射频RF功率放大器级，包括：

第一晶体管，具有与放大器的RF输入节点相耦合的第一端子、与放大器RF输出节点相耦合的第二端子、以及与电源电压节点相耦合的第三端子；

耦合在RF输出节点与偏压节点之间的第一电感器；

其中流经第一晶体管的电流主要是依照RF输入节点与RF输出节点之间的电压差确定的；以及

其中第一电感器与RF输出接点上呈现的电抗发生谐振。

2.如权利要求1所述的设备，其中RF输入节点和RF输出节点上的电压彼此大体上同相。

3.如权利要求1所述的设备，其中第一晶体管是CMOS晶体管。

4.如权利要求1所述的设备，其中电源电压节点与系统电源耦合。

5.如权利要求1所述的设备，其中第一电感器形成了变压器的初级线圈。

6.如权利要求1所述的设备，其中偏压节点与系统电源耦合。

7.如权利要求1所述的设备，还包括与RF输出节点耦合的负载网络，其中该负载网络主要是电容性的。

8.如权利要求1所述的设备，还包括与RF输出节点耦合的负载网络，其中该负载网络包括MOS晶体管的输入电容。

9.如权利要求1所述的设备，其中RF输入节点与第一晶体管的栅极相连，并且RF输出节点与第一晶体管的源极相连，以及流经第一晶体管的电流主要是依照栅极-源极电压确定的。

10.如权利要求1所述的设备，其中第一电感器与连至RF输出节点的负载之间的谐振提升了第一晶体管在RF上看到的阻抗。

11.如权利要求1所述的设备，还包括与RF输出节点耦合的负载网络，其中该负载网络包括输出RF功率放大器级的输入电容。

12.如权利要求1所述的设备，还包括与RF输出节点耦合的负载网络，并且其中该负载网络包括共源极放大器的输入电容。

13.如权利要求1所述的设备，还包括与偏压节点耦合的偏压部件，以便将偏压节点的电压保持在预期电平。

14.如权利要求1所述的设备，还包括与所述电源电压耦合的偏压部件，以便将电源电压节点上的电压保持在预期电平。

15.如权利要求13所述的设备，其中偏压部件将偏置电压保持在恒定的DC电平上。

16.如权利要求13所述的设备，其中偏压节点上的电压包含基带信号分量。

17.如权利要求13所述的设备，其中偏压节点上的电压是受反馈控制的。

18.一种设备，包括：

差分射频(RF)功率放大器级，包括：

正极性正晶体管，具有与放大器的正极性RF输入节点相耦合的第一端子、与放大器的正极性RF输出节点相耦合的第二端子、以及与正极性的电源电压节点相耦合的第三端子；

负极性晶体管，具有与放大器的负极性RF输入节点相耦合的第一端子、与放大器的负极性RF输出节点相耦合的第二端子、以及与负极性电源电压节点相耦合的第三端子；

耦合在正极性RF输出节点与正极性偏压节点之间的正极性电感器；

耦合在负极性RF输出节点与负极性偏压节点之间的负极性电感器；

其中流经正极性晶体管的电流主要是依照正极性RF输入节点与正极性RF输出节点之间的电压差确定的；

其中流经负极性晶体管的电流主要是依照负极性RF输入节点与负极性RF输出节点之间的电压差确定的；

其中正极性电感器与在正极性RF输出节点上呈现的电抗发生谐振，

以及

负极性电感器与在负极性RF输出节点上呈现的电抗发生谐振。

19.如权利要求18所述的设备，其中正极性RF输入节点和正极性RF输出节点上的电压彼此大体上同相，并且其中负极性RF输入节点和负极性RF输出节点上的电压彼此大体上同相。

20.如权利要求18所述的设备，其中正极性和负极性晶体管是CMOS晶体管。

21.如权利要求18所述的设备，其中正极性和负极性电源电压节点是相同的节点。