[发明专利]使用三维半导体吸收器的高效光伏背触点太阳能电池的结构和制造方法

权利要求书

1.一种背结背触点三维薄太阳能电池,包括：

具有正面和背面的三维沉积的半导体层，包括：

具有钝化层的光俘获正面表面，

掺杂的基极区域，和

掺杂的背面发射极区域，其极性与所述掺杂的基极区域相反；

在所述掺杂的背面发射极区域上的背面钝化层；

背面发射极触点和背面基极触点，其连接至金属互连件且选择性地在所述三维沉积的半导体层背面的三维特征上形成；和

在所述背结背触点三维薄太阳能电池的正面设置的透明正面永久性支撑增强物。

2.如权利要求1所述的背结背触点三维薄太阳能电池，其中，所述沉积的半导体层是厚度在1到30微米范围内的外延硅层。

3.如权利要求1所述的背结背触点三维薄太阳能电池，其中，所述掺杂的背面发射极区域是外延原位掺杂发射极区域。

4.如权利要求1所述的背结背触点三维薄太阳能电池，其中，所述背面发射极触点和背面基极触点离散地位于所述三维沉积的半导体层背面的三维特征上。

5.如权利要求1所述的背结背触点三维薄太阳能电池，其中，所述背面发射极触点和背面基极触点在所述三维沉积的半导体层背面的三维特征上以连续的交叉指状图案形成。

6.如权利要求1所述的背结背触点三维薄太阳能电池，其中，所述具有钝化层的光俘获正面表面用作抗反射涂层。

7.如权利要求1所述的背结背触点三维薄太阳能电池，其中，所述具有钝化层的光俘获正面表面提供场辅助钝化。

8.如权利要求1所述的背结背触点三维薄太阳能电池，还包括填充所述三维沉积的薄半导体层背面上的三维特征的空腔的背面增强层。

9.一种背结背触点三维薄太阳能电池,包括：

具有正面和背面的三维沉积的半导体层，所述沉积的半导体层具有倒金字塔型结构，其中，背面表面脊限定倒金字塔型空腔的开口，包括：

具有钝化层的光俘获正面表面，

掺杂的基极区域，和

掺杂的背面发射极区域，其极性与所述掺杂的基极区域相反；

在所述掺杂的背面发射极区域上的背面钝化层；和

背面发射极触点和背面基极触点，其选择性地在所述三维沉积的半导体层的背面表面脊上形成且连接至金属互连件。

10.如权利要求9所述的背结背触点三维薄太阳能电池，其中,在所述背结背触点三维薄太阳能电池的正面上有透明永久性正面支撑增强物。

11.如权利要求9所述的背结背触点三维薄太阳能电池，其中，所述沉积的半导体层是厚度在1到30微米范围内的外延硅层。

12.如权利要求9所述的背结背触点三维薄太阳能电池，其中，所述掺杂的背面发射极区域是外延原位掺杂发射极区域。

13.如权利要求9所述的背结背触点三维薄太阳能电池，其中，所述倒金字塔型空腔包括多个尺寸不同的倒金字塔型空腔。

14.如权利要求9所述的背结背触点三维薄太阳能电池，其中，所述倒金字塔型空腔包括一组较大的倒金字塔型空腔和一组较小的倒金字塔型空腔。

15.如权利要求9所述的背结背触点三维薄太阳能电池，其中，所述背面发射极触点和背面基极触点离散地位于所述三维沉积的薄半导体层背面的倒金字塔型空腔的背面表面脊上。

16.如权利要求9所述的背结背触点三维薄太阳能电池，其中，所述背面发射极触点和背面基极触点在所述三维沉积的薄半导体层背面的倒金字塔型空腔的脊上以连续的线条图案形成。

17.如权利要求9所述的背结背触点三维薄太阳能电池，还包括背面增强层，其至少部分填充所述三维沉积的薄半导体层背面上的倒金字塔形空腔。