[发明专利]为能量转移构建间隔物的自组装纳米点（SAND）和非自组装纳米点（NSAND）器件结构

权利要求书

1.一种电子转移器件结构，包括：

彼此分开的第一基板和第二基板；

将所述第一基板和所述第二基板连接在一起的多个局部间隔物；

所述局部间隔物中的至少一个具有小于350nm的横向尺寸；以及

所述第一基板和所述第二基板之间的亚微米间距被配置为在所述第一基板和所述第二基板之间隧穿载流子。

2.根据权利要求1的器件，其中，所述多个局部间隔物包括形成在所述第一基板或所述第二基板的表面上的多个自组装纳米点。

3.根据权利要求2的器件，其中，所述自组装纳米点具有范围在1nm至50nm内的横向尺寸或高度尺寸。

4.根据权利要求1的器件，其中，所述多个局部间隔物包括在所述第一基板或所述第二基板的表面上形成并且图案化的纳米点的组装结构，并且

所述纳米点具有范围在1nm至50nm的横向尺寸或高度尺寸。

5.根据权利要求2的器件，其中，所述纳米点具有小于10¹⁰纳米点/cm^-2的密度。

6.根据权利要求2的器件，其中，所述纳米点具有小于10⁸纳米点/cm^-2的密度。

7.根据权利要求2的器件，其中，所述纳米点包括形成在所述第一基板或所述第二基板上的Ge、GaN、InAs、InGasAs、Si、铁硅化物、Sn、In、InSn、AgSn、Bi和Sb纳米点中的至少一种。

8.根据权利要求1的器件，其中，所述第一基板和所述第二基板中的至少一个包括有机半导体基板。

9.根据权利要求1的器件，进一步包括：

设置在所述第一基板和所述第二基板中的至少一个上的与所述局部间隔物毗邻的位置的电绝缘体。

10.根据权利要求1的器件，其中，所述第一基板和所述第二基板中的至少一个包括用于集成电路器件封装、热沉器件、热光伏器件、热电子器件和热隧穿器件中的至少一种的材料。

11.一种热转移器件结构，包括：

彼此分开的第一基板和第二基板；

将所述第一基板和所述第二基板连接在一起的多个局部间隔物；

所述局部间隔物中的至少一个具有小于350nm的横向尺寸；以及

所述第一基板和所述第二基板之间的亚微米间距被配置为在所述第一基板和所述第二基板之间提供热转移。

12.根据权利要求11的器件，其中，所述局部间隔物包括形成在所述第一基板或所述第二基板的表面上的多个纳米点。

13.根据权利要求12的器件，其中，所述自组装纳米点具有范围在1nm至50nm内的横向尺寸或高度尺寸。

14.根据权利要求11的器件，其中，所述多个局部间隔物包括在所述第一基板或所述第二基板的表面上形成并且图案化的纳米点的组装结构，并且

所述纳米点具有范围在1nm至50nm的横向尺寸或高度尺寸。

15.根据权利要求12的器件，其中，所述纳米点具有小于10¹⁰纳米点/cm^-2的密度。

16.根据权利要求12的器件，其中，所述纳米点具有小于10⁸纳米点/cm^-2的密度。

17.根据权利要求12的器件，其中，所述纳米点包括形成在所述第一基板或所述第二基板上的Ge、GaN、InAs、InGasAs、Si、铁硅化物、Sn、In、InSn、AgSn、Bi、和Sb纳米点中的至少一种。

18.根据权利要求11的器件，其中，所述第一基板和所述第二基板中的至少一个包括有机半导体基板。

19.根据权利要求11的器件，进一步包括：

设置在所述第一基板和所述第二基板中的至少一个上的与所述局部间隔物毗邻的位置的电绝缘体。

20.根据权利要求11的器件，其中，所述第一基板和所述第二基板中的至少一个包括用于集成电路器件封装、热沉器件、热光伏器件、热电子器件和热隧穿器件中的至少一种的材料。