[发明专利]高性能碳纳米管储能器件

权利要求书

1.一种用于形成储能器件的一部分的方法，所述方法包括：

获取金属衬底；

直接在金属衬底上形成多个碳纳米管(CNT)；

从所述多个CNT去除无定形碳；以及

将所述多个CNT耦合至电解质隔离部。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属衬底包括金属催化剂。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属衬底覆盖有金属催化剂。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个CNT直接生长在所述金属衬底上而不添加催化剂层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述无定形碳经由涉及水的工艺而去除。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个CNT基本上垂直对准。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个CNT经由化学气相沉积(CVD)而形成。

8.一种形成电容器的方法，所述方法包括：

在第一金属衬底上形成第一多个碳纳米管(CNT)；

从所述第一多个碳纳米管(CNT)去除无定形碳；

在第二金属衬底上形成第二多个碳纳米管(CNT)；

从所述第二多个CNT去除无定形碳；以及

将所述第一多个CNT和所述第二多个CNT耦合至膜。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一金属衬底和所述第二金属衬底包括金属催化剂。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一金属衬底和所述第二金属衬底覆盖有金属催化剂。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一多个CNT生长在所述第一金属衬底上而不添加催化剂层。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一多个CNT基本上垂直对准。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述膜为电解质隔离部。

14.一种储能器件，包括：

第一金属衬底和第二金属衬底；

电解质隔离部；

多个碳纳米管(CNT)，所述多个CNT耦合至所述第一金属衬底、所述第二金属衬底和所述电解质隔离部，其中，所述多个CNT的第一部分直接生长在所述第一金属衬底上且所述多个CNT的第二部分直接生长在所述第二金属衬底上，并且无定形碳已从所述多个CNT去除。

15.根据权利要求14所述的储能器件，其中，所述第一金属衬底包括金属催化剂。

16.根据权利要求14所述的储能器件，其中，所述多个CNT的所述第一部分形成第一电极且所述多个CNT的所述第二部分形成第二电极，其中所述第一电极和所述第二电极大于1×1cm²。

17.根据权利要求14所述的储能器件，其中，所述多个CNT直接生长在所述金属衬底上而不添加催化剂层。

19.根据权利要求14所述的储能器件，其中，所述储能器件为电容器且所述电容器可操作以在0.05V以上工作。

20.根据权利要求14所述的储能器件，其中，所述多个CNT在连续的工艺中形成。