[发明专利]衬底处理方法

权利要求书

1.一种衬底处理方法，包括以下步骤：

在第一腔中通过气相沉积过程在衬底上形成包括III族元素和V族元素的未掺杂层；

将所述衬底从所述第一腔传输到缓冲腔，然后将所述衬底传输到第二腔；以及

在所述第二腔中通过气相沉积过程在所述衬底上形成包括III族元素和V族元素的n型层。

2.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述III族元素包括铝（Al）、镓（Ga）和铟（In）中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述未掺杂层包括未掺杂的GaN层。

4.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，当将所述衬底传输到所述第二腔中时，所述第二腔中的温度为约1000至1200℃。

5.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述缓冲腔中的温度为约600至900℃。

6.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述缓冲腔中的气体气氛为氢气气氛。

7.根据权利要求1所述的衬底处理方法，进一步包括以下步骤：

在将所述衬底从所述第二腔传输到所述缓冲腔之后，将所述衬底传输到第三腔；以及

在所述第三腔中通过气相沉积过程在所述衬底上形成包括III族元素和V族元素的有源层。

8.根据权利要求7所述的衬底处理方法，其中，当将所述衬底传输到所述第三腔中时，所述第三腔中的温度为约700至900℃。

9.根据权利要求7所述的衬底处理方法，进一步包括以下步骤：

在将所述衬底从所述第三腔传输到所述缓冲腔之后，将所述衬底传输到第四腔；以及

在所述第四腔中通过气相沉积过程在所述衬底上形成包括III族元素和V族元素的p型层。

10.根据权利要求1所述的衬底处理方法，进一步包括以下步骤：

在形成所述n型层的步骤之后，在所述第二腔中通过气相沉积过程在所述衬底上形成包括III族元素和V族元素的有源层；

将所述衬底从所述第二腔传输到所述缓冲腔，然后将所述衬底传输到第三腔；以及

在所述第三腔中通过气相沉积过程在所述衬底上形成包括III族元素和V族元素的p型层。

11.根据权利要求10所述的衬底处理方法，其中，当将所述衬底传输到所述第三腔中时，所述第三腔中的温度为约1000至1200℃。

12.根据权利要求1所述的衬底处理方法，进一步包括以下步骤：

在形成所述未掺杂层之前，在所述第一腔中通过气相沉积过程在所述衬底上形成包括III族元素和V族元素的缓冲层。

13.根据权利要求12所述的衬底处理方法，其中，在形成所述缓冲层的步骤中，所述第一腔中的温度为约450至700℃。

14.根据权利要求12所述的衬底处理方法，其中，所述缓冲层包括AlN、GaN和AlGaN中的至少一种。

15.根据权利要求12所述的衬底处理方法，进一步包括以下步骤：

在形成所述缓冲层的步骤之前，在所述第三腔中对所述衬底进行热处理；以及

将所述衬底从所述第三腔传输到所述缓冲腔，然后将所述衬底传输到所述第一腔中。

16.根据权利要求15所述的衬底处理方法，其中，进行热处理的步骤包括将所述衬底加热到约1000至1200℃的步骤。

17.根据权利要求1所述的衬底处理方法，进一步包括以下步骤：

在形成所述未掺杂层的步骤之前，在所述第三腔中通过气相沉积过程在所述衬底上形成包括III族元素和V族元素的缓冲层；以及

将所述衬底从所述第三腔传输到所述缓冲腔，然后将所述衬底传输到所述第一腔中。

18.根据权利要求17所述的衬底处理方法，其中，当将所述衬底传输到所述第一腔中时，所述第一腔中的温度为约1000至1200℃。

19.根据权利要求17所述的衬底处理方法，进一步包括以下步骤：

在形成所述缓冲层的步骤之前，在所述第四腔中对所述衬底进行热处理；以及

将所述衬底从所述第四腔传输到所述缓冲腔，然后将所述衬底传输到所述第三腔。