[发明专利]用于控制半导体裸片翘曲的设备和方法

权利要求书

1.一种半导体裸片，其包含：

位于所述半导体裸片的外围区域中的多个穿硅通孔，所述穿硅通孔减少所述半导体裸片的翘曲。

2.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述穿硅通孔为非信号载运穿硅通孔。

3.根据权利要求2所述的半导体裸片，其进一步包含位于靠近所述半导体裸片的功能块的中心区域中的至少一个额外非信号载运穿硅通孔。

4.根据权利要求2所述的半导体裸片，其中所述穿硅通孔包含应力消除通孔。

5.根据权利要求4所述的半导体裸片，其中所述应力消除通孔包含圆角通孔。

6.根据权利要求5所述的半导体裸片，其中每一圆角通孔包含一穿硅通孔阵列。

7.根据权利要求2所述的半导体裸片，其中所述外围区域包含所述半导体裸片的至少一个隅角。

8.根据权利要求2所述的半导体裸片，其中所述外围区域包含所述半导体裸片的至少一个边缘。

9.根据权利要求1所述的半导体裸片，其集成到选自由手持式装置和个人计算机组成的群组的物项中。

10.根据权利要求1所述的半导体裸片，其集成到堆叠式IC中。

11.一种用于制造半导体裸片的方法，其包含：

在所述半导体裸片的外围区域中制造多个非信号载运穿硅通孔以减少所述裸片的翘曲。

12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包含与制造所述非信号载运穿硅通孔实质上同时地制造信号载运穿硅通孔。

13.根据权利要求11所述的方法，其进一步包含在靠近所述半导体裸片的功能块的中心区域中制造至少一个额外非信号载运穿硅通孔。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述制造包含在所述半导体裸片的隅角中制造至少一个非信号载运穿硅通孔阵列。

15.根据权利要求14所述的方法，其中制造所述至少一个阵列包含制造至少一个圆角通孔。

16.根据权利要求11所述的方法，其进一步包含将所述半导体裸片集成到选自由手持式装置和个人计算机组成的群组的物项中。

17.一种半导体裸片，其包含：

用于增加所述半导体裸片的热膨胀系数CTE的装置，其位于所述半导体裸片的外围区域中，所述CTE增加装置减少所述半导体裸片的翘曲。

18.一种用于设计半导体裸片的计算机化方法，其包含：

确定用于应力消除穿硅通孔的位置，以便减少裸片翘曲。

19.根据权利要求18所述的计算机化方法，其中所述确定包含相对于封装衬底的热膨胀系数来分析所述半导体裸片的热膨胀系数。