[发明专利]背面接触太阳能电池的制造方法无效
| 申请号： | 201080064053.X | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102770968A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 文仁植;赵银喆;李元载;林钟根 | 申请（专利权）人： | 现代重工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 韩国蔚*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背面 接触 太阳能电池 制造 方法 | ||
1.一种背面电极型太阳能电池的制造方法，包括：
制备具有通孔的p型硅衬底；
通过扩散工艺沿着所述衬底的周边形成高浓度发射层；
在所述衬底的前表面和背表面上形成蚀刻掩模以选择性地暴露所述衬底；
将由所述蚀刻掩模暴露的区域中的衬底的部分蚀刻至预定厚度以移除所述暴露的区域的高浓度发射层；
在所述衬底的前表面上形成抗反射膜；以及
在所述衬底的前表面形成格栅电极和在所述衬底的背表面形成n电极以及p电极。
2.根据权利要求1的背面电极型太阳能电池的制造方法，其中，所述衬底的前表面上的所述蚀刻掩模是在将形成所述格栅电极的区域处形成，而所述衬底的背表面的所述蚀刻掩模是在将形成所述n电极的区域处形成。
3.根据权利要求1的背面电极型太阳能电池的制造方法，在所述将由所述蚀刻掩模暴露的区域中的衬底的部分蚀刻至所述预定厚度以移除所述暴露的区域的高浓度发射层中，
其中在蚀刻所述衬底至所述预定厚度时，一起蚀刻并移除扩散副产物层，
其中所述衬底的前表面上的未暴露区域包括所述高浓度发射层，以及
其中所述衬底的前表面的所述暴露区域包括由所述蚀刻形成的低浓度发射层。
4.一种背面电极型太阳能电池的制造方法，包括：
制备具有通孔的p型硅衬底；
通过扩散工艺沿着所述衬底的周边形成高浓度发射层；
除了在所述衬底的前表面将形成格栅电极的区域和在所述衬底的背表面将形成n电极的区域外，蚀刻所述衬底至预定厚度，以移除所述高浓度发射层；
在所述衬底的前表面上形成抗反射膜；以及
在所述衬底的前表面形成格栅电极和在所述衬底的背表面形成n电极以及p电极。
5.根据权利要求4的背面电极型太阳能电池的制造方法，在所述除了在所述衬底的前表面将形成格栅电极的区域和在所述衬底的背表面将形成n电极的区域外，蚀刻所述衬底至预定厚度以移除所述高浓度发射层的过程中，
其中通过喷墨印刷或丝网印刷将蚀刻胶施加到所述衬底上以蚀刻所述衬底至所述预定厚度，
其中所述衬底的前表面上的未蚀刻区域包括所述高浓度发射层，以及
其中所述衬底的前表面上的蚀刻区域包括由所述蚀刻形成的低浓度发射层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
