[发明专利]用于制备纳米线结构的方法

权利要求书

1.一种在纳米线结构的制备期间在衬底上排列纳米线的方法，其包括以下步骤：

- 提供纳米线(1)的群体；以及

- 在所述纳米线(1)的群体上施加电场(E)，由此所述纳米线中的电偶极子使所述纳米线沿所述电场(E)排列，

其特征在于

所述纳米线(1)的至少一个子群体中的每根纳米线包括下列各项中的一项

i) pn结，其中所述电偶极子从所述pn结的n侧向p侧形成；

ii) 肖特基二极管，其中所述电偶极子从所述肖特基二极管的n侧向p侧形成；

iii) 压电部分，其中通过由内在压电场所引起的电荷分离形成所述电偶极子；

并且其中每根线的带正电荷的端部沿所述电场(E)的方向受力。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述电场(E)通过正电荷和负电荷载流子朝向所述纳米线(1)的相对的两端的分离而在所述纳米线(1)中感生电偶极子，这对所述电偶极矩沿所述纳米线(1)被形成做出贡献。

3.根据权利要求1-2中的任何一项所述的方法，其还包括用预定波长区域中的光照射纳米线(1)的至少一个子群体，这对所述纳米线的电偶极矩的形成做出贡献。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述纳米线的群体(1)包括纳米线的多个子群体，每个子群体中的纳米线具有不同的带隙，并且所述方法还包括用不同波长区域中的光选择性地照射所述纳米线的群体以便选择性地排列具有不同带隙的纳米线。

5.根据权利要求1-4中的任何一项所述的方法，其中分散在流体中的纳米线被提供。

6.根据权利要求1-5中的任何一项所述的方法，其还包括将所述纳米线(1)固定在排列好的位置上。

7.根据权利要求1-6中的任何一项所述的方法，其还包括在衬底(2)上沉积所述纳米线(1)。

8.根据权利要求7所述的方法，其中纳米线的至少一个子群体中的每根纳米线携载净电荷，并且所述电场(E)对携载净电荷的纳米线施加力，由此携载净电荷的纳米线朝向所述衬底(2)迁移并且被沉积在所述衬底(2)上。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其中所述纳米线的至少一个子群体中的每根纳米线不带电荷，并且所述电场(E)由于所述电偶极子而对所述不带电荷的纳米线施加力，由此所述不带电荷的纳米线朝向所述衬底(2)迁移并且被沉积在所述衬底(2)上。

10.根据权利要求7-9中的任何一项所述的方法，其中所述纳米线的至少一个子群体中的每根纳米线不带电荷，并且所述不带电荷的纳米线借助于扩散而朝向所述衬底(2)迁移并且沉积在所述衬底(2)上。

11.根据权利要求7-10中的任何一项所述的方法，其中所述衬底包括粘附层。

12.根据权利要求7-10中的任何一项所述的方法，其中在连续的制程中沉积所述纳米线。

13.根据权利要求12所述的方法，其中在卷对卷制程中沿所述衬底(2)以预定构造重复提供和沉积所述纳米线的群体。

14.根据权利要求7-13中的任何一项所述的方法，其还包括沉积绝缘聚合物以填充所述纳米线之间的空间。

15.根据权利要求7-14中的任何一项所述的方法，其还包括沉积电极材料，所述电极材料电连接至排列好的纳米线的与所述衬底(2)相对的一个端部。

16.根据权利要求1所述的方法，其中通过设置在所述纳米线的群体的相对侧上的第一电极和第二电极施加所述电场并且所述电极中的至少一个是有织构的。

17.根据权利要求1所述的方法，其中所述纳米线经受场梯度，由此更长且更细的线由于所述场梯度而经受更强的力并且将因此朝向具有更高的场的区域更快地移动。

18.一种用于根据尺寸和/或材料对纳米线进行分类的器件，其包括用于提供电场梯度的装置和用于使带电荷或不带电荷的纳米线的流通过所述场梯度的装置，由此更长、更细且更易极化的线经受朝向更高的电场区域的更强的吸引力并且可因此被分类。