[发明专利]将电阻率测量采用于间接确定硅烷和锗烷的纯度和一种相应的方法

权利要求书

1.用于间接确定硅烷和锗烷的纯度的方法，其特征在于，

从硅烷或锗烷中通过从气体状态中淀积到表面上来制造硅层或锗层，然后测量所制成层的电阻率，并从所测量的值中借助事先确定的参考值，推断出采用于制造所述层的硅烷或锗烷的纯度。

2.按照权利要求1的方法，其中，从未被取代的甲硅烷、乙硅烷或丙硅烷中，或从未被取代的甲锗烷、乙锗烷或丙锗烷中，或从单次地、多次地或完全地卤素取代的甲硅烷、乙硅烷或丙硅烷中，或从单次地、多次地或完全地卤素取代的甲锗烷、乙锗烷或丙锗烷中，选出所述硅烷或锗烷，其中优选从包括SiH₄，SiH₃Cl，SiH₂Cl₂，SiHCl₃，SiCl₄，Si₂H₆，Si₂Cl₆，Si₃H₈，Si₃Cl₈，GeH₄和GeCl₄的组中选出所述的硅烷或锗烷。

3.按照以上权利要求之一的方法，其中，所述纯度涉及元素周期系统的第3和第5主族的元素的总含量,与向各自主族的分配无关。

4.按照以上权利要求之一的方法，其中，所述纯度一方面涉及元素周期系统的第3主族的元素的总含量,和/或另一方面涉及元素周期系统的第5主族的元素的总含量,包括向各自主族的分配。

5.按照以上权利要求之一的方法，其中,通过CVD方法从气体状态中进行到表面上的淀积，在确定硅烷纯度的情况下淀积到硅晶片上，在确定锗烷纯度的情况下淀积到锗晶片上。

6.按照以上权利要求之一的方法，其中, 所述硅层或锗层，在具有＜1000 Ωcm的电阻率值的掺杂晶片的情况下具有5至100 μm的厚度，在具有＞1000 Ωcm的电阻率值的弱掺杂晶片的情况下具有1至50 μm的厚度。

7.按照以上权利要求之一的方法，其中,在工业生产和/或充填所述硅烷或锗烷的范畴内，在连续监控纯度的意义上重复执行硅烷或锗烷的纯度的确定。

8.按照权利要求7的方法，其中，本方法包括以下的步骤：

a）制造或提供硅烷或锗烷，

b）分流或提取合适数量的硅烷或锗烷，

c）从至少一部分所分流或提取的硅烷或锗烷数量中，通过CVD方法将硅层或锗层制造到硅晶片或锗晶片上，

d）测量在所制成的层表面上的电阻率，和

e）将所测量的电阻率分配给一个程度的纯度，而不将杂质性的元素分配给元素周期系统的主族中的一个。

9.按照权利要求8的方法，其中，在步骤

d)中，从原来的晶片表面进行测量，通过在层的不同高度上的多次的测量，与层的高度有关地绘出电阻率的变化曲线，和在步骤

e）中，将所测量的和与层高有关地绘出的电阻率值分配给一个程度的纯度，包括将杂质性的元素向元素周期系统的第3和/或第5主族进行分配。

10.将电阻率测量使用于间接确定硅烷和锗烷的纯度。

11.按照权利要求10的使用，其中，纯度的间接的确定包括从至少一部分硅烷或锗烷中制造硅层或锗层和同时或随后测量该硅层或锗层的电阻率。

12.用于工业生产和/或充填硅烷或锗烷的装置，其中，所述装置包括站，用于所制成的和/或为了充填所提供的硅烷或锗烷的质量检查，其特征在于，用于质量检查的站包括用于测量淀积在表面上的硅烷层或锗烷层的电阻率的设备。