[发明专利]碳化钽被覆碳材料及其制造方法

权利要求书

1.碳化钽被覆碳材料，其特征在于，具有碳基材、和在所述碳基材上被覆的碳化钽被覆膜，

所述碳化钽被覆膜在由X射线衍射得到的与碳化钽对应的衍射峰的(311)面的取向角度中在80°以上具有最大的峰值。

2.根据权利要求1所述的碳化钽被覆碳材料，其特征在于，所述碳化钽被覆膜在由X射线衍射得到的与碳化钽对应的衍射峰的(220)面的取向角度中在80°以上具有最大的峰值。

3.根据权利要求1或2所述的碳化钽被覆碳材料，其特征在于，由X射线衍射得到的碳化钽晶体的(311)面和(220)面的衍射强度之和，相对于由X射线衍射得到的与碳化钽晶体对应的全部晶面的衍射强度的总和为0.5以上且0.9以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的碳化钽被覆碳材料，其特征在于，所述碳化钽被覆膜的X射线衍射图形中的(311)面或(220)面的衍射线的强度为最大。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的碳化钽被覆碳材料，其特征在于，所述碳化钽被覆膜的X射线衍射图形中的(311)面或(220)面的衍射线的半宽度为0.2°以下。

6.碳化钽被覆碳材料，其特征在于，具有碳基材、和被覆在所述碳基材上的碳化钽被覆膜，

形成所述碳化钽被覆膜的晶粒从碳基材表面向着碳化钽被覆膜外面呈梯度变大。

7.碳化钽被覆碳材料的制造方法，其是在碳基材上形成碳化钽被覆膜的碳化钽被覆碳材料的制造方法，其特征在于，包含下述工序：

在所述碳基材的表面形成碳化钽晶核的晶核生成工序；和

在所述晶核生成工序后使所述碳化钽晶核结晶生长的结晶生长工序，

所述结晶生长工序具有使制造温度逐渐上升的升温工序。

8.根据权利要求7所述的碳化钽被覆碳材料的制造方法，其特征在于，在所述晶核生成工序中，形成所述碳化钽晶核的温度为850～950℃。

9.根据权利要求7或8所述的碳化钽被覆碳材料的制造方法，其特征在于，所述升温工序具有50℃以上的温度差。

10.根据权利要求7～9中任一项所述的碳化钽被覆碳材料的制造方法，其特征在于，在所述升温工序后，保持所述升温工序结束时的制造温度。

11.根据权利要求7～10中任一项所述的碳化钽被覆碳材料的制造方法，其特征在于，在所述升温工序中，使所述制造温度以一定的速度上升。

12.碳化钽被覆碳材料的制造方法，其是通过碳化钽被覆膜形成工序在碳基材上形成碳化钽被覆膜的碳化钽被覆碳材料的制造方法，其特征在于，

所述碳化钽被覆膜形成工序具有下述工序：

在所述碳基材的表面形成第1碳化钽被覆膜的第1形成工序，和

在第1碳化钽被覆膜上形成至少1层碳化钽被覆膜的第2形成工序，

所述第1碳化钽被覆膜，在由X射线衍射得到的与碳化钽对应的衍射峰的(311)面的取向角度中在80°以上具有最大的峰值。

13.根据权利要求12所述的碳化钽被覆碳材料的制造方法，其特征在于，所述第1形成工序和所述第2形成工序在通过支承物支承被覆对象物的同时进行，将所述第1形成工序中由支承物所造成的被覆膜的缺损部分在第2形成工序中进行被覆。

14.根据权利要求12或13所述的碳化钽被覆碳材料的制造方法，其特征在于，所述第1形成工序包含下述工序：

在所述碳基材的表面形成碳化钽晶核的晶核生成工序，

在所述晶核生成工序后使所述碳化钽晶核结晶生长的结晶生长工序，

所述结晶生长工序具有使制造温度逐渐上升的升温工序。

15.根据权利要求12～14中任一项所述的碳化钽被覆碳材料的制造方法，其特征在于，所述碳化钽被覆膜，在由X射线衍射得到的与碳化钽对应的衍射峰的(220)面的取向角度中在80°以上具有最大的峰值。

16.根据权利要求12～15中任一项所述的碳化钽被覆碳材料的制造方法，其特征在于，所述碳化钽被覆膜的X射线衍射图形中的与(311)面和(220)面对应的衍射线的强度之和，相对于所述碳化钽被覆膜的X射线衍射图形中的与碳化钽的全部晶面对应的衍射线的强度的总和为0.5以上且0.9以下。