[发明专利]用传声器换能器形成的集成电路

权利要求书

1.一种包括电容性传声器换能器的集成电路，其包括：

衬底；

形成在所述衬底的顶表面上的第一互连区域；

形成在所述第一互连区域的顶表面上的固定板；

第一膜层，其形成在所述固定板上方，以便在所述第一膜层和所述固定板之间存在传声器换能器腔；

形成在所述衬底中的背侧腔，其延伸至所述衬底的底表面；以及

接入槽，其穿过所述第一互连区域进入所述衬底形成，以便所述接入槽连接所述传声器换能器腔和所述背侧腔。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一膜层与所述集成电路中的互连的衬垫金属元件同时形成。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一膜层包括从由氮化钽、氮化钛、钛铝、铝、具有铜的铝、氮化硅、氧氮化硅、碳化硅、氮碳化硅以及氧氮碳化硅组成的组中选择的材料。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一膜层包括应力消除结构。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其还包括在所述第一膜层的顶表面上形成的第二膜层，使得所述第二膜层的横向边缘不延伸到所述第一膜层的横向边缘。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其中所述第二膜层与所述集成电路中的互连的元件同时形成。

7.根据权利要求6所述的集成电路，其中所述第二膜层从由铜、铝、以及具有铜的铝组成的组中选择。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述固定板与所述集成电路中的互连的元件同时形成。

9.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

所述衬底包括基础层、在所述基础层上形成的蚀刻终止层以及在所述蚀刻终止层上形成的顶层；

所述背侧腔延伸穿过所述基础层；以及

所述接入槽延伸穿过所述顶层。

10.一种形成包括电容性传声器换能器的集成电路的工艺，其包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底的顶表面上形成第一互连区域；

在所述第一互连区域的顶表面上形成固定板；

形成穿过所述第一互连区域进入所述衬底的接入槽；

在所述固定板上方形成牺牲材料的牺牲填充区域；

在所述牺牲填充区域的顶表面上形成第一膜层；

在所述第二膜层的顶表面上形成牺牲材料的牺牲保护层；

在所述衬底中形成背侧腔，所述背侧腔从所述衬底的底表面延伸至所述接入槽；

通过从所述集成电路的背侧蚀刻的工艺去除所述接入槽中的一部分所述牺牲材料；以及

从所述牺牲填充区域去除所述牺牲材料。

11.根据权利要求12所述的工艺，其中所述第一膜层与所述集成电路中的互连的衬垫金属元件同时形成。

12.根据权利要求10所述的工艺，其中所述第一膜层从由氮化钽、氮化钛、钛铝、铝、具有铜的铝、氮化硅、氧氮化硅、碳化硅、氮碳化硅以及氧氮碳化硅组成的组中选择。

13.根据权利要求10所述的工艺，其中所述第一膜层被形成为包括应力消除结构。

14.根据权利要求10所述的工艺，其还包括在所述第一膜层的顶表面上形成第二膜层，使得所述第二膜层的横向边缘不延伸到所述第一膜层的横向边缘。

15.根据权利要求14所述的工艺，其中所述第二膜层与所述集成电路中的互连的元件同时形成。

16.根据权利要求15所述的工艺，其中所述第二膜层从由铜、铝以及具有铜的铝组成的组中选择。

17.根据权利要求10所述的工艺，其中所述固定板与所述集成电路中的互连的元件同时形成。

18.根据权利要求10所述的工艺，其中：

所述衬底包括基础层、在所述基础层上形成的蚀刻终止层以及在所述蚀刻终止层上形成的顶层；

执行形成所述背侧腔的步骤，使得所述背侧腔延伸穿过所述基础层；以及

执行形成所述接入槽的步骤，使得所述接入槽延伸穿过所述顶层。