[发明专利]多芯片集成电路

权利要求书

1.一种复合集成电路，其包含：

第一集成电路晶粒，其具有第一晶上互连结构，第一集成电路晶粒是被安装在重建晶圆底座上；

第二集成电路晶粒，其具有第二晶上互连结构，第二集成电路晶粒是被安装在所述重建晶圆底座上且第二集成电路晶粒是以氧化物对氧化物边缘接合而被边缘接合到第一集成电路晶粒；及

芯片对芯片互连结构，其配置在第一集成电路晶粒上及第二集成电路晶粒上；

其中所述芯片对芯片互连结构将第一晶上互连结构电气耦合到第二晶上互连结构。

2.如申请专利范围第1项的复合集成电路，其还包含：在所述芯片对芯片互连结构上的接触阵列。

3.如申请专利范围第2项的复合集成电路，其中所述接触阵列是球栅阵列或凸块阵列。

4.如申请专利范围第1项至第3项中任一项的复合集成电路，其中所述重建晶圆底座包含造模化合物。

5.如申请专利范围第1项至第4项中任一项的复合集成电路，其中所述氧化物对氧化物边缘接合包含二氧化硅。

6.如申请专利范围第1项至第5项中任一项的复合集成电路，其还包含：安装在所述重建晶圆底座上且具有第三晶上互连结构的第三集成电路晶粒；

其中第三晶上互连结构是通过所述芯片对芯片互连结构而被耦合到第一晶上互连结构或第二晶上互连结构的至少一个。

7.如申请专利范围第1项至第6项中任一项的复合集成电路，其中所述芯片对芯片互连结构包含：

第一图型化金属层；

第一介电层，其在第一晶上互连结构与第二晶上互连结构与第一图型化金属层之间；

第二图型化金属层；及

第二介电层，其在第一图型化金属层与第二图型化金属层之间。

8.如申请专利范围第7项的复合集成电路，其还包含：

第一导电通孔，其从第一图型化金属层延伸通过第一介电层到第一晶上互连结构；及

第二导电通孔，其从第二图型化金属层延伸通过第二介电层到第一图型化金属层。

9.一种制造复合集成电路的方法，所述方法包含：

生产集成电路晶粒，各个集成电路晶粒具有晶上互连结构；

将所述集成电路晶粒边缘抛光；

沉积氧化物层来涂覆所述集成电路晶粒边缘以形成边缘氧化物层；

使所述边缘氧化物层活化；

在边缘接合载件上的一或多个复合集成电路图型中配置所述集成电路晶粒；

将所述集成电路晶粒边缘接合在一起；

在所述集成电路晶粒上形成重建晶圆底座以形成重建晶圆；

在所述重建晶圆上制造芯片对芯片互连结构以电气耦合所述载晶互连结构；且

从所述重建晶圆而使一或多个复合集成电路为单一化。

10.如申请专利范围第9项的方法，其中所述边缘接合包括：施加力量以使所述集成电路晶粒保持为彼此接触以及将所述集成电路晶粒加热到不大于摄氏250度的温度。

11.如申请专利范围第9项或第10项的方法，其中所述形成重建晶圆底座包括：将造模化合物施加到在所述边缘接合载件上的边缘接合晶粒的背面。

12.如申请专利范围第9项至第11项中任一项的方法，其中所述制造芯片对芯片互连结构包括：在所述重建晶圆上形成至少二个图型化金属层具有中间介电层。

13.如申请专利范围第12项的方法，其中：

所述中间介电层包含沉积的二氧化硅层；且

所述至少二个图型化金属层中的第一个包含金属镶嵌或双金属镶嵌图型化金属层。

14.如申请专利范围第9项至第13项中任一项的方法，其在所述制造芯片对芯片互连结构之后且在所述单一化之前，还包含：

在所述重建晶圆的第一复合集成电路上形成第一接触阵列；且

在所述重建晶圆的第二复合集成电路上形成第二接触阵列。

15.如申请专利范围第9项至第14项中任一项的方法，其中所述配置集成电路晶粒包括：以第一复合集成电路图型配置第一多个集成电路晶粒且以不同于第一复合集成电路图型的第二复合集成电路图型配置第二多个集成电路晶粒。