[发明专利]散热结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201080065389.8 申请日: 2010-03-12
公开(公告)号: CN102792441A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 岩井大介;近藤大雄;山口佳孝;广濑真一;崎田幸惠;八木下洋平;乘松正明 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01L23/36 分类号: H01L23/36;H05K7/20
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王萍;陈炜
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 散热 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种散热结构,包括:

热源;

散热部件,所述散热部件被布置成与所述热源相对;

凹陷部分,所述凹陷部分被形成在所述热源和所述散热部件的相对的表面中的至少一个表面中;以及

导热结构,所述导热结构包括热塑性材料的填料层和碳纳米管组件,所述热塑性材料的填料层被布置在所述热源与所述散热部件之间并且与所述热源和所述散热部件的所述相对的表面接触,并且所述碳纳米管组件被分布在所述热塑性材料中、被定向成垂直于所述填料层的表面、在两端处与所述热源和所述散热部件的所述相对的表面接触、并且其分布被所述凹陷部分限制在所述相对的表面中。

2.如权利要求1所述的散热结构,还包括涂层,所述涂层覆盖所述碳纳米管组件的至少一端并且具有比所述填料层的热导率高的热导率。

3.如权利要求1或2所述的散热结构,其中,所述涂层由金属制成。

4.如权利要求1至3中任一项所述的散热结构,其中,所述热源包含电子器件。

5.如权利要求1至4中任一项所述的散热结构,其中,所述凹陷部分具有平坦的底面,并且所述平坦的底面与所述相对的表面平行。

6.如权利要求1至4中任一项所述的散热结构,其中,所述凹陷部分具有锯齿横截面。

7.一种用于制造散热结构的方法,包括:

在生长基底上生长碳纳米管组件;

在所述碳纳米管组件上布置具有比所述碳纳米管的长度大的厚度的热塑性材料片;

加热并熔化所述热塑性材料片以嵌入所述碳纳米管组件,此后冷却并固化所述热塑性材料以形成碳纳米管片;

将所述碳纳米管片布置在热源和散热部件的相对的表面之间以构成层压结构,所述相对的表面中的至少一个表面具有凹陷部分;

加热并按压被保持在所述热源与所述散热部件之间的所述碳纳米管片以熔化所述热塑性材料并缩短所述热源与所述散热部件之间的距离,以使所述碳纳米管组件的两个端面与所述热源和所述散热部件接触;以及

冷却所述层压结构以固化所述热塑性材料。

8.如权利要求7所述的用于制造散热结构的方法,其中,所述凹陷部分被定位成包含所述碳纳米管组件的一端。

9.如权利要求7或8所述的用于制造散热结构的方法,还包括:在生长碳纳米管组件之后,涂覆金属以覆盖所述碳纳米管组件的暴露的一个端面。

10.如权利要求9所述的用于制造散热结构的方法,还包括:

在涂覆金属以覆盖所述碳纳米管组件的暴露的一个端面之后,将所述碳纳米管组件转印至支承件上;以及

涂覆金属以覆盖所述碳纳米管组件的暴露的另一个端面。

11.一种电子装置,包括:

热源;

散热部件,所述散热部件被布置成与所述热源相对;

凹陷部分,所述凹陷部分被形成在所述热源和所述散热部件的相对的表面中的至少一个表面中;以及

碳纳米管片,所述碳纳米管片包括热塑性材料的填料层和碳纳米管组件,所述热塑性材料的填料层被布置在所述热源与所述散热部件之间并且与所述热源和所述散热部件的所述相对的表面接触,并且所述碳纳米管组件被分布在所述热塑性材料中、被定向成垂直于所述填料层的表面、在两端处与所述热源和所述散热部件的所述相对的表面接触、并且其分布被所述凹陷部分限制在所述相对的表面中。

12.如权利要求11所述的电子装置,还包括涂层,所述涂层覆盖所述碳纳米管组件的至少一端并且具有比所述填料层的热导率高的热导率。

13.如权利要求11或12所述的电子装置,其中,所述涂层由金属制成。

14.如权利要求11至13中任一项所述的电子装置,其中,所述热源包含电子器件。

15.如权利要求11至14中任一项所述的电子装置,其中,所述凹陷部分具有平坦的底面,并且所述平坦的底面与所述相对的表面平行。

16.如权利要求11至14中任一项所述的电子装置,其中,所述凹陷部分具有锯齿横截面。

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