[发明专利]制造双面装备有芯片的晶片的方法

权利要求书

1. 一种用于制造特别是双面装备有芯片（12,15）的产品晶片（1）的方法，具有以下流程：

-处理该产品晶片（1）的第一面（3）；

-通过该产品晶片（1）的第一面（3）在硬性的第一载体晶片（8）上将该产品晶片（1）与第一中间层（18, 18’，18”）相接合，该第一中间层（18, 18’，18”）由至少施加在边缘侧的第一附着层（6）构成；

-处理该产品晶片（1）的与所述第一面（3）相对置的第二面（2）；以及

-通过该产品晶片（1）的第二面（2）在硬性的第二载体晶片（13）上将该产品晶片（1）与第二中间层（17, 17’，17”）相接合，该第二中间层（17, 17’，17”）由至少施加在边缘侧的第二附着层（14）构成；

其特征在于，将所述第一中间层（18, 18’，18”）和第二中间层（17, 17’，17”）构造为不同的，使得能够选择性地使所述第一载体晶片（8）在所述第二载体晶片（13）之前分离。

2. 如权利要求1所述的方法，其中，所述第一附着层（6）的接合力小于所述第二附着层（14）的接合力。

3. 如权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一附着层（6）具有小于第二附着层（14）的尺寸，特别是所述第一附着层（6）与所述第一载体晶片（8）和所述产品晶片（1）的接触面更小和/或所述第一附着层（6）的层厚更薄。

4. 如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述第一附着层（6）具有与所述第二附着层（14）不同的化学特性，其中，所述第一附着层（6）至少部分地由第一溶剂溶解，而所述第二附着层（14）对于该第一溶剂至少主要是惰性的。

5. 如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述第一中间层（18, 18’，18”）具有与所述第二中间层（17, 17’，17”）不同的热特性，使得所述第一中间层（18, 18’，18”）在温度上升时至少部分地溶解，从而能够在所述第二载体晶片（13）分离之前引起所述第一载体晶片（8）的分离。

6. 如权利要求4或5所述的方法，其中，所述第一中间层（18, 18’，18”）、特别是所述第一附着层（6）的分离在对所述产品晶片（1）的第二面（2）进行处理之后以及在将所述产品晶片（1）接合在所述第二载体晶片（13）上之前或之后进行。

7. 如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述第一载体晶片（8）与所述产品晶片（1）的分离选择性地基于所述第一中间层（18, 18’，18”）和所述第二中间层（17, 17’，17”）的不同光学特性来进行，该光学特性特别是涉及一个、优选是选择性地作用于所述第一附着层（6）和/或所述第二附着层（14）的光源（29）的限定的光源长度和/或限定的光强度的作用。

8. 如权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，所述第一载体晶片（8）与所述产品晶片（1）的分离选择性地基于所述第一中间层（18, 18’，18”）和所述第二中间层（17, 17’，17”）的不同机械特性来进行，该机械特性特别是涉及抗剪强度，优选为依据温度的抗剪强度。

9. 如权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，所述第一附着层（6）和/或第二附着层（14）构成为环形的，特别是在所述产品晶片（1）的晶片周边（19）的区域内。

10. 如权利要求1至9中任一项所述的方法，其中，所述第一中间层（18, 18”）在所述第一附着层（6）中包含薄膜（7）和/或所述第二中间层（17, 17”）在所述第二附着层（14）中包含薄膜（7）。

11. 如权利要求1至10中任一项所述的方法，其中，在所述第一载体晶片（8）和所述第一中间层（18, 18’，18”）之间施加特别是施加在第一载体晶片（8）上的第一部分涂层，用于减小在该第一部分涂层的区域中的接合力/附着力，和/或在所述第二载体晶片（13）和所述第二中间层（17, 17’，17”）之间施加特别是施加在第二载体晶片（13）上的第二部分涂层，用于减小在该第二部分涂层的区域中的接合力/附着力。