[发明专利]具有侧线采出次级反应器的氧化系统在审
申请号: | 201080066008.8 | 申请日: | 2010-12-09 |
公开(公告)号: | CN102811995A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | A.谢克;D.朗格 | 申请(专利权)人: | 奇派特石化有限公司 |
主分类号: | C07C51/265 | 分类号: | C07C51/265;C07C63/26 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 赵苏林;李进 |
地址: | 墨西哥*** | 国省代码: | 墨西哥;MX |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 侧线 次级 反应器 氧化 系统 | ||
1.通过使浆料与气相氧化剂接触生产多元羧酸的系统,所述系统包括:
包括第一浆料出口的初级氧化反应器;和
包括浆料入口、第二浆料出口、通常下部的氧化剂入口和通常上部的氧化剂入口的次级氧化反应器,
其中所述浆料入口与所述第一浆料出口下游侧流体流连通,
其中所述次级氧化反应器在其内限定了具有最大长度LS的次级反应区,
其中所述通常下部的氧化剂入口距所述次级反应区底部小于0.5LS,
其中所述通常上部的氧化剂入口距所述次级反应区底部至少0.5LS。
2.权利要求1的系统,其中所述通常上部的氧化剂入口和所述通常下部的氧化剂入口在它们之间限定了用于将所述气相氧化剂引入所述次级反应区内的总开口面积,其中所述通常上部的氧化剂入口限定了所述总开口面积的约5%至约49%。
3.权利要求1的系统,其中所述通常上部的氧化剂入口距所述次级反应区底部至少0.55LS。
4.权利要求1的系统,其中所述通常上部的氧化剂入口包括喷洒器,其中所述喷洒器包括多个氧化剂排出口。
5.权利要求4的系统,其中大部分所述氧化剂排出口取向为朝通常向下的方向排出所述气相氧化剂。
6.权利要求1的系统,其中所述通常上部的氧化剂入口距所述浆料入口小于0.4LS。
7.权利要求1的系统,其中所述次级氧化反应器包括至少两个上部的氧化剂入口,各自分别距所述次级反应区底部至少0.5LS。
8.权利要求1的系统,其中所述次级反应区具有最大直径DS,其中所述反应区的LS:DS比在约14:1至约28:1的范围。
9.权利要求1的系统,其中所述初级氧化反应器为泡罩塔反应器,其中所述次级氧化反应器为泡罩塔反应器。
10.权利要求1的系统,其中所述初级氧化反应器在其内限定了具有最大长度LP的初级反应区,其中所述第一浆料出口距所述初级反应区的通常顶端和通常底端中的每一端至少0.1LP,其中所述初级反应区与所述次级反应区的体积比在约4:1至约50:1的范围。
11.制造多元羧酸组合物的方法,所述方法包括:
(a) 使包括可氧化化合物的第一多相反应介质在初级氧化反应器内限定的初级反应区中氧化,从而产生第一浆料;和
(b) 使所述第一浆料的至少一部分在次级氧化反应器内限定的次级反应区中与气相氧化剂接触,从而产生第二浆料,
其中所述次级反应区具有最大长度LS,
其中所述气相氧化剂的第一部分在距所述次级反应区底部至少0.5LS的第一氧化剂入口区域引入所述次级反应区,
其中所述气相氧化剂的所述第一部分占引入所述次级反应区的所述气相氧化剂总体积的约5%至约49%。
12.权利要求11的方法,其中所述气相氧化剂的所述第一部分占引入所述次级反应区内的所述气相氧化剂总体积的约5%至约35%,其中所述第一氧化剂入口区域距所述次级反应区底部至少0.55LS,其中所述气相氧化剂的第二部分在距所述次级反应区底部小于0.3LS的第二氧化剂入口区域引入所述次级反应区。
13.权利要求11的方法,其中所述第一浆料的至少一部分在浆料入口区域引入所述次级氧化反应器,其中所述第一氧化剂入口区域位于所述浆料入口区域的0.4LS以内。
14.权利要求11的方法,其中所述气相氧化剂的至少一部分和所述第一浆料的至少一部分在所述次级反应区内合并形成第二多相反应介质,其中当所述第二多相反应介质的整个体积在理论上分割为20个等体积的不连续的水平分层时,没有两个相邻的水平分层具有低于7个百万分之一重量份(“ppmw”)的总时间-平均和体积-平均氧含量。
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