[发明专利]制造带有背侧接触的半导体电池的光伏模块的方法和光伏模块无效
申请号: | 201080066145.1 | 申请日: | 2010-10-26 |
公开(公告)号: | CN102834924A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | U.沙夫;A.库格勒;P.策雷尔;M.齐佩尔;P.施蒂勒;M.科扬库 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/18;H01L21/268 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 丁永凡;卢江 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 带有 接触 半导体 电池 模块 方法 | ||
1.一种用于制造带有背侧接触的半导体电池(1)的光伏模块的方法,所述半导体电池(1)具有分别设置在接触侧(2)的接触区(3),该方法包括以下方法步骤:
-提供薄膜状的不导电衬底(4),其在第一衬底侧上带有至少一侧的并且至少逐部分地导电的衬底镀膜(5),
-把所述半导体电池的接触侧置于第二衬底侧上,
-实施穿过所述衬底和所述衬底镀膜的局部穿孔,以在所述半导体电池(1)的接触区(3)上产生所述衬底中的豁口(10),
-敷设接触媒介(11),用以填充所述豁口(10)并且用于形成在所述第一衬底侧上的衬底镀膜与所述第二衬底侧上的半导体电池之间的接触。
2.如权利要求1所述的方法,
其特征在于,
在所述衬底(4)上安放了所述接触侧(2)之后,通过层压覆盖所述半导体电池(1)。
3.如以上权利要求中任一项所述的方法,
其特征在于,
在敷设所述接触媒介(11)之后产生至少一个其它的接触层,具有方法步骤:
-至少逐部分地用绝缘的保护层(12)对所接触的衬底镀膜进行覆盖,
-实施穿通所述保护层、所述衬底和/或所述导电衬底镀膜的局部穿孔,以在所述半导体电池(2)的接触区(3)上产生豁口(10),
-在所述保护层上敷设接触媒介(13),以填充所述豁口并用于形成所述延伸在所述保护层上的其它的接触层。
4.如以上权利要求中任一项所述的方法,
其特征在于,
通过印刷、喷涂或者是焊接进行所述接触媒介(11、13)的敷设。
5.如权利要求4所述的方法,
其特征在于,
在进行所述焊接时,通过焊接托架向要填充的豁口(10)处传送焊接材料并且在熔解后填充该处。
6.如权利要求4或5所述的方法,
其特征在于,
所述焊接被实施为激光焊接,其中通过施用激光进行所述选择性的熔解。
7.如权利要求1至3中任一项所述的方法,
其特征在于,
通过喷涂进行所述接触媒介(11、13)的敷设。
8.如权利要求7所述的方法,
其特征在于,
所述喷涂方法通过冷气体喷涂、用等离子喷射的等离子喷涂、用线或者杆的火焰喷涂、用粉末的火焰喷涂、塑料火焰喷涂、高速火焰喷涂(HVOF)、爆轰喷涂、激光喷涂、光弧喷涂或者还有PTA(Plasma Transferred Arc)实现。
9.如以上权利要求中任一项所述的方法,
其特征在于,
在实施所述局部穿孔时,对安排在所述衬底(4)上的半导体电池(1)进行图像识别,其中通过图像处理和/或基准点设定来进行穿孔装置对每一单个半导体电池的直接标定。
10.如权利要求9所述的方法,
其特征在于,
为进行所述图像识别通过透视装置(14、16、17)产生透视图像,其中在图像处理时在每个透视图像上实施轮廓识别(19)并且所述穿孔装置(8)按所述轮廓识别的结果自动地移动到从中确定的位置以产生相应的豁口(10)。
11.如以上权利要求中任一项所述的方法,
其特征在于,
以激光钻孔的形式用激光钻孔装置实施所述局部穿孔。
12.一种光伏模块,该光伏模块包含多个带有背侧接触和衬底(4)的半导体电池(1),其特征在于,
所述衬底被形成为薄膜或者层片,其中所述衬底在所述半导体电池的区域中具有用导电材料填充的豁口(10)用于形成在第一衬底侧上的半导体电池与延伸在第二衬底侧上的导电条之间的接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的