[发明专利]用于分子分析的多柱结构

权利要求书

1.一种用于分子分析的多柱结构（100-106），所述结构包括至少两个纳米杆（115），每个纳米杆均在一端（115a）处附着到基底（110）且沿着其长度能够自由移动，所述至少两个纳米杆的相对端（115b）均能够朝向彼此运动以在它们的相对端处束缚至少一个分析物分子（120），每个纳米杆均涂敷有金属涂层。

2.如权利要求1所述的多柱结构，其中，在所述基底上的所述结构的阵列（200，200'）被提供。

3.如权利要求1或2所述的多柱结构，其中所述至少两个纳米杆包括选自包括聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚碳酸脂、硅氧烷、聚二甲基硅氧烷（PDMS）和光致抗蚀剂的组的聚合物。

4.如权利要求1或2所述的多柱结构，其中所述至少两个纳米杆包括选自包括硅氧化物、硅、硅氮化物、硅氮氧化物、氧化铝、金刚石、类金刚石碳、铝和铜的组的无机材料。

5.如权利要求3或4所述的多柱结构，其中，所述至少两个纳米杆包括相同的成分或不同的成分。

6.如权利要求1所述的多柱结构，其中所述纳米杆具有大约50nm至2μm的范围内的高度、大约10nm至1μm的范围内的直径以及在所述杆的基部处大约10至500nm的间距。

7.如权利要求1所述的多柱结构，其中，所述金属涂层选自包括金、银、铜、铂、铝以及它们的合金的组。

8.一种用于分子分析的多柱结构的阵列（200，200’），所述阵列中的每个结构包括如权利要求1所述的结构。

9.如权利要求8所述的阵列，用于SERS设备中的分子分析，所述SERS设备包括拉曼激励光源（508）和光电检测器（506），其中所述光电检测器与所述纳米杆在所述基底的同一侧上，并且所述光源与所述纳米杆在所述基底的同一侧上或者与所述纳米杆在所述基底的相对侧上。

10.如权利要求8所述的阵列，用于增强荧光分析、增强荧光分析、增强发光分析、等离子体激元感测、光学散射和/或光学吸收中的分子分析。

11.一种用于制备权利要求1的多柱结构的方法，所述方法包括：

在所述基底上形成多个纳米杆；和

向每个纳米杆提供金属涂层。

12.如权利要求11所述的方法，还包括：

把所述多个纳米杆暴露于溶剂中的分析物；和

移除所述溶剂，使分析物遗留在所述纳米杆上并促使所述纳米柱的所述相对端朝向彼此移动并在所述相对端处束缚至少一个分析物分子。

13.如权利要求12所述的方法，包括形成纳米杆结构（100-106）的阵列，其中，所述阵列包括纳米杆结构，所述纳米杆结构都为相同的结构或者为不同的结构。

14.如权利要求11所述的方法，其中在所述金属涂层上施加功能涂层以用于选择性地束缚和感测分析物分子。