[发明专利]膜堆叠体及其方法

权利要求书

1.一种在膜堆叠体中制造多个间隔物的方法，包括：

在基板上形成具有侧壁的至少一个导电元件；

邻近于所述基板沉积多个钝化层；和

在所述多个钝化层之一上执行蚀刻以基本在所述至少一个导电元件的所述侧壁的对面形成多个间隔物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个导电元件包括：

电阻器和导电互连线中的至少一个。

3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：

邻近于所述基板沉积蚀刻停止层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中邻近于所述基板沉积蚀刻停止层包括：

与所述基板和所述至少一个导电元件接触地沉积所述蚀刻停止层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述多个钝化层中的所述两个之一具有多个间隔物的形式。

6.根据权利要求5所述的方法，其中邻近于所述基板沉积多个钝化层包括：

在所述蚀刻停止层上沉积间隔物钝化层从而被形成为所述多个间隔物；

在所述多个间隔物上沉积电隔离体钝化层；和

在所述电隔离体钝化层上沉积化学隔离体钝化层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中在所述多个钝化层之一上执行蚀刻以沿着所述侧壁形成多个间隔物包括：

各向异性地干法蚀刻所述间隔物钝化层以基本在所述侧壁的对面形成具有圆状顶部部分的所述多个间隔物。

8.根据权利要求2所述的方法，其中邻近于所述基板沉积所述多个钝化层包括：

在所述基板以及所述电阻器和所述导电互连线中的所述至少一个上沉积电隔离体钝化层；

邻近于所述基板沉积间隔物钝化层；和

在从所述间隔物钝化层形成的所述多个间隔物上沉积化学隔离体钝化层。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

邻近于所述基板沉积蚀刻停止层，其中所述蚀刻停止层与所述电隔离体钝化层接触。

10.根据权利要求9所述的方法，其中在一个钝化层上执行蚀刻以基本在所述侧壁的对面形成多个间隔物包括：

各向异性地干法蚀刻所述间隔物钝化层以基本在所述侧壁的对面形成具有圆状顶部部分的所述多个间隔物。

11.一种能够与热流体喷射器设备一起使用的膜堆叠体，所述膜堆叠体包括：

基板；

被置放在所述基板上的、具有侧壁的至少一个导电元件；

包括被配置为提供电绝缘的电绝缘体钝化层和被配置为提供化学绝缘的化学绝缘体钝化层的多个钝化层；和

从所述多个钝化层之一形成并且基本在所述至少一个导电元件的所述侧壁的对面置放的多个间隔物。

12.根据权利要求11所述的膜堆叠体，进一步包括：

被配置为提供化学绝缘并且在通过蚀刻来形成间隔物时用作停止层的蚀刻停止层。

13.根据权利要求12所述的膜堆叠体，其中所述多个间隔物包括：

圆状顶部部分。

14.根据权利要求13所述的膜堆叠体，其中：

所述蚀刻停止层被与所述基板、所述至少一个导电元件、所述多个间隔物和所述电绝缘体钝化层接触地置放；并且

所述电绝缘体钝化层与所述多个间隔物、所述蚀刻停止层和所述化学绝缘体钝化层接触。

15.根据权利要求13所述的膜堆叠体，其中：

所述电绝缘钝化层被与所述基板、所述至少一个导电元件和所述蚀刻停止层接触地置放；并且

所述蚀刻停止层与所述电绝缘体钝化层、所述多个间隔物和所述化学绝缘体钝化层接触。