[发明专利]具有膜的MEMS器件和制造方法有效

专利信息
申请号: 201080066397.4 申请日: 2010-04-23
公开(公告)号: CN102834347A 公开(公告)日: 2012-12-19
发明(设计)人: D.莫滕森;M.吉内鲁普 申请(专利权)人: 埃普科斯股份有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;H04R19/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 马永利;王忠忠
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 具有 mems 器件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种MEMS器件,包括微机加工的块本体(BB)和固定到所述块本体的膜(MM),其特征在于,从平坦的金属片激光切割所述膜并且将所述膜接合到所述块本体。

2.根据权利要求1所述的器件,

其中所述膜(MM)包括平面部件(PM)以及从所述平面部件横向延伸的悬臂(SA),所述悬臂终止于接合到所述块本体(BB)的悬臂垫(SP)。

3.根据前述权利要求中任一项所述的器件,包括

- 具有或不具有集成在其中的集成电路(IC)的半导体或陶瓷本体(SB),

- 淀积在所述半导体本体上面的后端层(BL)的堆叠,所述块本体由所述后端层和所述半导体本体形成,

- 传导后电极(CL),其是所述后端层之一并且与所述膜相对布置;

其中所述集成电路电连接到所述后电极并且通过穿过所述后端层的各个通过接触件(TC)电连接到所述膜。

4.根据前述权利要求中任一项所述的器件,进一步包括:

- 所述后端层(BL)的堆叠的顶表面中的第一凹陷,所述膜(MM)覆盖所述凹陷;

- 与所述第一凹陷对准的所述半导体本体(SB)中的第二凹陷,所述第二凹陷形成后体积(BV);以及

- 微机加工后板孔(HV),其被引导穿过所述后端层并且使所述后体积与所述后板上方的体积连接。

5.一种用于制造利用膜进行工作的MEMS器件的方法,所述方法包括步骤:

- 提供金属箔

- 激光切割所述箔以产生平坦的膜(MM)

- 提供用于所述器件的微机加工的块本体(BB)

- 将所述膜转移到所述块本体并且将所述膜固定到所述块本体。

6.根据权利要求5所述的方法,其中

所述的固定步骤包括将所述膜(MM)超声接合到布置在所述块本体(BB)的顶表面上的接触垫。

7.根据权利要求5或6所述的方法,其中

- 在切割之前将所述箔固定并且限制到操作架(HF)

- 在将所述箔固定到所述操作架时完成所述切割

- 在所述操作架的帮助下将所述膜(MM)转移到所述块本体(BB)

- 将所述膜固定到所述块本体

- 从所述膜释放所述操作架并且由此切割所述膜并且使所述膜与未成为所述膜的一部分的任何剩余的箔分离。

8.根据权利要求6或7所述的方法,

其中所述操作架(HF)包括如玻璃或金属的硬材料的板,所述板具有开口(OP)的阵列,每个开口提供用于一个膜的面积。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的方法,其中激光聚焦到在所述金属箔的表面上的1-50 μm的光斑直径。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的方法,其中使用具有1-50 μm的厚度的金属箔。

11.根据权利要求1至4中任一项所述的器件,被设计成用作具有集成IC的微型麦克风。

12.根据权利要求1至4中任一项所述的器件,被设计成用作可调电容器。

13.根据权利要求1至4中任一项所述的器件,被设计成用作开关。

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