[发明专利]双轴构型的屏蔽电缆有效

专利信息
申请号: 201080066562.6 申请日: 2010-12-16
公开(公告)号: CN102870170B 公开(公告)日: 2016-10-12
发明(设计)人: 道格拉斯·B·贡德尔 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: H01B7/08 分类号: H01B7/08;H01B11/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 梁晓广;关兆辉
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 构型 屏蔽 电缆
【权利要求书】:

1.一种屏蔽电缆,包括:

多个导体组,所述多个导体组沿着所述电缆的长度延伸,并且沿着所述电缆的宽度彼此间隔开,每一个导体组具有以双轴构型布置的两个导体,所述导体中的每一个的尺寸为不大于24AWG;和

第一屏蔽膜和第二屏蔽膜,所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜设置在所述电缆的相对侧上,每一个屏蔽膜均不包含使所述屏蔽膜定向以在所述电缆的两侧上覆盖所述导体组的纵向折叠,其中每一个导体组在0GHz至20GHz的频率范围内具有小于-20dB/m的插入损耗,并且由于所述导体组的谐振引起的插入损耗约为零。

2.根据权利要求1所述的电缆,还包括至少一条排扰线,其中所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜包括覆盖部分和压紧部分,所述覆盖部分和所述压紧部分被布置成使得在横截面中,所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述覆盖部分组合起来基本上围绕每一个导体组,并且所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述压紧部分组合起来在每一个导体组的每一侧上形成所述电缆的压紧部分,其中对于至少一个导体组而言,所述排扰线和所述导体组的最接近导体之间的间距大于所述导体组的所述两个导体之间的中心至中心间距的0.5倍。

3.根据权利要求1所述的电缆,其中每一个导体组的所述插入损耗为小于约-5dB/m、或小于约-4dB/m、或小于约-3dB/m。

4.根据权利要求1所述的电缆,其中所述电缆具有小于约20皮秒/米或小于约10皮秒/米的偏差。

5.根据权利要求1所述的电缆,其中所述电缆的特性阻抗在约1米的电缆长度上保持在目标特性阻抗的5-10%内。

6.一种屏蔽电缆,包括:

多个导体组,所述多个导体组沿着所述电缆的长度延伸,并且沿着所述电缆的宽度彼此间隔开,所述导体组中的每一个包括以双轴构型布置的两个导体,每一个导体的尺寸为不大于24AWG;和

第一屏蔽膜和第二屏蔽膜,所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜设置在所述电缆的相对侧上,每一个屏蔽膜均不包含将所述屏蔽膜粘结到自身的接缝,其中每一个导体组在0GHz至20GHz的频率范围内的插入损耗为小于-20dB/m,并且由于所述导体组的谐振损耗产生的插入损耗约为零。

7.根据权利要求6所述的电缆,还包括至少一条排扰线,其中所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜包括覆盖部分和压紧部分,所述覆盖部分和所述压紧部分被布置成使得在横截面中,所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述覆盖部分组合起来基本上围绕每一个导体组,并且所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述压紧部分组合起来在每一个导体组的每一侧上形成所述电缆的压紧部分,其中对于至少一个导体组而言,所述排扰线和所述导体组的最接近导体之间的间距大于所述导体组的所述两个导体之间的中心至中心间距的0.5倍。

8.根据权利要求7所述的电缆,其中所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的第一覆盖部分之间的最大间距为D,所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的第一压紧部分之间的最小间距为d1,并且d1/D为小于约0.25。

9.根据权利要求7所述的电缆,其中每一个屏蔽膜单独地围绕不足每一个导体组的全部周边。

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