[发明专利]变速驱动器有效
申请号: | 201080066613.5 | 申请日: | 2010-05-04 |
公开(公告)号: | CN102884695A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | S·阿蒂加-曼诺;M·S·托德;I·杰德瑞克 | 申请(专利权)人: | 江森自控科技公司 |
主分类号: | H02H9/00 | 分类号: | H02H9/00;H02M5/458;H02P27/04;H03K17/04;H03K17/0814;H03K17/10;H03K17/12;H03K17/567 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 李洁;杨勇 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 变速 驱动器 | ||
1.一种用于变速驱动器的转换器模块,包括:
多个切换模块,所述多个切换模块中的一个切换模块包括与第二半导体开关并联或串联连接的第一半导体开关,所述第二半导体开关在所述变速驱动器的预充电操作期间被可控地切换,以限制进入所述直流线路的突入电流,且所述第二半导体开关的最大额定电流小于所述第一半导体开关的最大额定电流。
2.根据权利要求1所述的转换器模块,其中所述辅助半导体模块选自由如下项组成的组:绝缘栅双极晶体管、双极结型晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管以及硅可控整流器。
3.根据权利要求1所述的转换器模块,其中所述第一半导体开关和所述第二半导体开关被连接在至少一个电感器的输出与直流总线的正轨之间。
4.根据权利要求1所述的转换器模块,其中所述第二半导体开关在预充电操作之后在所述变速驱动器的运行期间处于打开位置,所述第二半导体开关的打开位置被配置为允许在所述变速驱动器的运行期间电流通过所述第二半导体开关。
5.根据权利要求4所述的转换器模块,其中所述第二半导体开关在所述变速驱动器的预充电状况期间被切换到断开位置,基本防止在所述变速驱动器的预充电状况期间电流通过所述第二半导体开关。
6.根据权利要求4所述的转换器模块,其中所述第二半导体开关通过如下方式被控制:施加大于施加至所述第一半导体开关的标准的栅极-发射极电压的辅助的栅极-发射极电压。
7.根据权利要求6所述的转换器模块,其中所述辅助的栅极-发射极电压处于17伏特至20伏特的范围内,且所述标准的栅极-发射极电压是15伏特。
8.一种变速驱动器,包括:
转换器,其连接至提供输入交流电力的交流电源,所述转换器被配置为将固定的输入交流电压转换成直流电压;
直流线路,其连接至所述转换器,所述直流线路被配置为对所述直流电压进行滤波并储存来自所述转换器的能量;以及
逆变器,其连接至所述直流线路,所述逆变器被配置为将来自所述直流线路的直流电压转换成具有可变电压和可变频率的输出电力;以及
所述转换器包括预充电电路,所述预充电电路包括多个切换模块,所述多个切换模块中的一个切换模块包括连接至第二半导体开关的第一半导体开关,所述第二半导体开关在所述变速驱动器的预充电操作期间被可控地切换,以限制进入所述直流线路的突入电流,且所述第二半导体开关的最大额定电流小于所述第一半导体开关的最大额定电流。
9.根据权利要求8所述的变速驱动器,其中所述第二半导体开关选自由如下项组成的组:绝缘栅双极晶体管、双极结型晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管以及硅可控整流器。
10.根据权利要求8所述的变速驱动器,其中所述第二半导体开关在预充电操作之后在所述变速驱动器的运行期间处于打开位置,所述第二半导体开关的打开位置被配置为允许在所述变速驱动器的运行期间电流通过所述第二半导体开关。
11.根据权利要求8所述的变速驱动器,其中所述第二半导体开关在所述变速驱动器的预充电状况期间被切换到断开位置,基本防止在所述变速驱动器的预充电状况期间电流通过所述第二半导体开关。
12.根据权利要求8所述的变速驱动器,其中所述第二半导体开关的最大额定电流小于所述第一半导体开关的最大额定电流。
13.根据权利要求8所述的变速驱动器,其中所述第一半导体开关和所述第二半导体开关被连接在至少一个电感器的输出与直流总线的正轨之间。
14.根据权利要求8所述的变速驱动器,其中所述第一半导体开关与所述第二半导体开关是并联连接的。
15.根据权利要求8所述的变速驱动器,其中所述第一半导体开关与所述第二半导体开关是串联连接的。
16.根据权利要求12所述的变速驱动器,其中所述第二半导体开关通过如下方式被控制:施加大于施加至所述第一半导体开关的标准的栅极-发射极电压的辅助的栅极-发射极电压。
17.根据权利要求16所述的变速驱动器,其中所述辅助的栅极-发射极电压处于17伏特至20伏特的范围内,且所述标准的栅极-发射极电压是15伏特。
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