[发明专利]变速驱动器有效

专利信息
申请号: 201080066613.5 申请日: 2010-05-04
公开(公告)号: CN102884695A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: S·阿蒂加-曼诺;M·S·托德;I·杰德瑞克 申请(专利权)人: 江森自控科技公司
主分类号: H02H9/00 分类号: H02H9/00;H02M5/458;H02P27/04;H03K17/04;H03K17/0814;H03K17/10;H03K17/12;H03K17/567
代理公司: 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 代理人: 李洁;杨勇
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 变速 驱动器
【权利要求书】:

1.一种用于变速驱动器的转换器模块,包括:

多个切换模块,所述多个切换模块中的一个切换模块包括与第二半导体开关并联或串联连接的第一半导体开关,所述第二半导体开关在所述变速驱动器的预充电操作期间被可控地切换,以限制进入所述直流线路的突入电流,且所述第二半导体开关的最大额定电流小于所述第一半导体开关的最大额定电流。

2.根据权利要求1所述的转换器模块,其中所述辅助半导体模块选自由如下项组成的组:绝缘栅双极晶体管、双极结型晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管以及硅可控整流器。

3.根据权利要求1所述的转换器模块,其中所述第一半导体开关和所述第二半导体开关被连接在至少一个电感器的输出与直流总线的正轨之间。

4.根据权利要求1所述的转换器模块,其中所述第二半导体开关在预充电操作之后在所述变速驱动器的运行期间处于打开位置,所述第二半导体开关的打开位置被配置为允许在所述变速驱动器的运行期间电流通过所述第二半导体开关。

5.根据权利要求4所述的转换器模块,其中所述第二半导体开关在所述变速驱动器的预充电状况期间被切换到断开位置,基本防止在所述变速驱动器的预充电状况期间电流通过所述第二半导体开关。

6.根据权利要求4所述的转换器模块,其中所述第二半导体开关通过如下方式被控制:施加大于施加至所述第一半导体开关的标准的栅极-发射极电压的辅助的栅极-发射极电压。

7.根据权利要求6所述的转换器模块,其中所述辅助的栅极-发射极电压处于17伏特至20伏特的范围内,且所述标准的栅极-发射极电压是15伏特。

8.一种变速驱动器,包括:

转换器,其连接至提供输入交流电力的交流电源,所述转换器被配置为将固定的输入交流电压转换成直流电压;

直流线路,其连接至所述转换器,所述直流线路被配置为对所述直流电压进行滤波并储存来自所述转换器的能量;以及

逆变器,其连接至所述直流线路,所述逆变器被配置为将来自所述直流线路的直流电压转换成具有可变电压和可变频率的输出电力;以及

所述转换器包括预充电电路,所述预充电电路包括多个切换模块,所述多个切换模块中的一个切换模块包括连接至第二半导体开关的第一半导体开关,所述第二半导体开关在所述变速驱动器的预充电操作期间被可控地切换,以限制进入所述直流线路的突入电流,且所述第二半导体开关的最大额定电流小于所述第一半导体开关的最大额定电流。

9.根据权利要求8所述的变速驱动器,其中所述第二半导体开关选自由如下项组成的组:绝缘栅双极晶体管、双极结型晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管以及硅可控整流器。

10.根据权利要求8所述的变速驱动器,其中所述第二半导体开关在预充电操作之后在所述变速驱动器的运行期间处于打开位置,所述第二半导体开关的打开位置被配置为允许在所述变速驱动器的运行期间电流通过所述第二半导体开关。

11.根据权利要求8所述的变速驱动器,其中所述第二半导体开关在所述变速驱动器的预充电状况期间被切换到断开位置,基本防止在所述变速驱动器的预充电状况期间电流通过所述第二半导体开关。

12.根据权利要求8所述的变速驱动器,其中所述第二半导体开关的最大额定电流小于所述第一半导体开关的最大额定电流。

13.根据权利要求8所述的变速驱动器,其中所述第一半导体开关和所述第二半导体开关被连接在至少一个电感器的输出与直流总线的正轨之间。

14.根据权利要求8所述的变速驱动器,其中所述第一半导体开关与所述第二半导体开关是并联连接的。

15.根据权利要求8所述的变速驱动器,其中所述第一半导体开关与所述第二半导体开关是串联连接的。

16.根据权利要求12所述的变速驱动器,其中所述第二半导体开关通过如下方式被控制:施加大于施加至所述第一半导体开关的标准的栅极-发射极电压的辅助的栅极-发射极电压。

17.根据权利要求16所述的变速驱动器,其中所述辅助的栅极-发射极电压处于17伏特至20伏特的范围内,且所述标准的栅极-发射极电压是15伏特。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江森自控科技公司,未经江森自控科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080066613.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top