[发明专利]包括过压保护的用于传输高压DC电力的设施

权利要求书

1.一种用于传输电力的设施，其包括：

●高压DC线路（4-7），

●与所述DC线路串联连接并且配置成当所述DC线路上发生故障时中断故障电流的DC断路器（8-13），

●配置成检测作为在所述DC线路上的位置（23）处发生故障的结果的故障电流的出现的部件（21），

●配置成控制所述DC断路器用于当所述故障电流出现时保护连接到所述DC线路的设备的控制单元（22），以及

●配置成耗散能量的部件，配置成当所述故障发生时在所述DC断路器的所述控制的时刻耗散存储在所述位置和这些部件之间的DC线路的故障电流路径中的能量，

其特征在于，所述能量耗散部件包括连接在地和所述DC线路之间的能量消耗制动电阻器（28）和续流整流元件（29）的串联连接（24-27）来传导电流，同时当所述故障发生时在所述DC断路器的所述控制时形成通过所述能量耗散部件的并且在地和所述位置（23）之间的所述故障电流路径中的续流路径（30）。

2.如权利要求1所述的设施，其特征在于，所述整流元件包括将所述制动电阻器（28）连接到所述DC线路的高压二极管（29）。

3.如权利要求2所述的设施，其特征在于，所述整流元件包括多个所述高压二极管（29）的串联连接，所述多个所述高压二极管（29）能够一起阻挡其两端的超过所述DC线路（4-7）上相对于地的规定电压的反向电压。

4.如权利要求1-3中任一项所述的设施，其特征在于，所述DC断路器（8-13）包括关断型半导体器件（14），并且所述控制单元（22）配置成当所述故障发生时关断所述半导体器件用于将所述故障电流换向进入所述续流路径（30）。

5.如权利要求4所述的设施，其特征在于，所述半导体器件是IGBT、GTO或IGCT。

6.如权利要求4或5所述的设施，其特征在于，其包括靠近所述DC断路器设置的电流限制设置用于当所述故障发生时限制通过所述DC断路器的电流。

7.如权利要求6所述的设施，其特征在于，所述电流限制设置包括与所述半导体器件（14）并联连接的放电器（15）。

8.如权利要求6或7所述的设施，其特征在于，所述电流限制设置包括与所述DC断路器（13）串联连接的电流导数限制电抗器（31）。

9.如权利要求1-8中任一项所述的设施，其特征在于，其包括DC开关站（1），其包括至少一个母线（2、3）和每个通过所述DC断路器（8-13）连接到所述至少一个母线的至少两个所述DC线路（4-7），并且所述DC线路中的至少一个具有能量消耗制动电阻器（28）和连接到其的续流整流元件（29）的所述串联连接。

10.如权利要求9所述的设施，其特征在于，能量消耗制动电阻器（28）和续流整流元件（29）的所述串联连接连接到与所述DC开关站（1）相连的DC线路，例如所述串联连接在所述DC开关站（1）的DC线路入口处连接到与所述DC开关站（1）相连的DC线路。

11.如权利要求9或10所述的设施，其特征在于，其对于连接到所述DC开关站（1）的所述DC线路（4-7）中的每个包括能量消耗制动电阻器（28）和续流整流元件（29）的所述串联连接。

12.如权利要求1-11中任一项所述的设施，其特征在于，其包括用于将交变电压转换成直流电压的站以及将直流电压转换成交变电压的站，所述站提供有所述DC断路器，并且能量消耗制动电阻器（28）和续流整流元件（29）的所述串联连接靠近所述站或与所述站直接相连地连接到与所述站的DC侧（17）相连的DC线路。

13.如权利要求1-12中任一项所述的设施，其特征在于，其是通过高压直流传输电力的设施。

14.如权利要求1-13中任一项所述的设施，其特征在于，所述DC线路（4-7）配置成在相对于地≥10kV-100kV、10kV-1000kV、100kV-1000kV或300kV-1000kV的电压水平上。