[发明专利]基于碳氮化物的磷光体及使用该材料的发光器件无效
| 申请号： | 201080066762.1 | 申请日： | 2010-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102917978A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 李远强;田永驰;M·D·罗曼内里 | 申请（专利权）人： | 渲染材料公司 |
| 主分类号： | C01B21/06 | 分类号： | C01B21/06;C09K11/08;C09K11/79 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 氮化物 磷光体 使用 材料 发光 器件 | ||
1.一种具有通式Ca1-xAlx-xySi1-x+xyN2-x-xyCxy:A的磷光体，其中：
0<x<1且0<y<1；以及
A是发光激活体。
2.如权利要求1所述的磷光体，其特征在于，A包括至少一种选自下组的金属离子：Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、Bi和Sb。
3.如权利要求1所述的磷光体，其特征在于，A掺杂在所述磷光体的基质晶体中，其浓度水平相对于Ca为约0.001-10摩尔％。
4.如权利要求1所述的磷光体，其特征在于，所述磷光体的基质晶体的晶体结构是斜方晶系或单斜晶系。
5.如权利要求1所述的磷光体，其特征在于，所述磷光体的基质晶体的晶体结构属于空间群Cmc21或Cc。
6.如权利要求1所述的磷光体，其特征在于：
所述磷光体的基质晶体的晶体结构是斜方晶系；
基质晶体的晶胞参数a为约
基质晶体的晶胞参数b为约
基质晶体的晶胞参数c为约
7.如权利要求1所述的磷光体，其特征在于：
所述磷光体的基质晶体的晶体结构是单斜晶系；
基质晶体的晶胞参数a为约
基质晶体的晶胞参数b为约
基质晶体的晶胞参数c为约以及
基质晶体的晶胞参数β为约87-93度。
8.一种具有通式Ca1-x-zNazM(III)x-xy-zSi1-x+xy+zN2-x-xyCxy:A的磷光体，其中：0<x<1、0<y<1、0≤z<1、x>xy+z且0<x-xy-z<1；
M(III)是至少一种三价阳离子；以及
A是发光激活体。
9.如权利要求8所述的磷光体，其特征在于：
M(III)选自下组：B、Al、Ga、In、Sc、Y、La和Gd；以及
A包括至少一种选自下组的金属离子：Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、Bi和Sb。
10.如权利要求8所述的磷光体，其特征在于，A掺杂在所述磷光体的基质晶体中，其浓度水平相对于Ca为约0.001-10摩尔％。
11.如权利要求8所述的磷光体，其特征在于，所述磷光体的基质晶体的晶体结构是斜方晶系或单斜晶系。
12.如权利要求8所述的磷光体，其特征在于，所述磷光体的基质晶体的晶体结构属于空间群Cmc21或Cc。
13.如权利要求8所述的磷光体，其特征在于：
所述磷光体的基质晶体的晶体结构是斜方晶系；
基质晶体的晶胞参数a为约
基质晶体的晶胞参数b为约
基质晶体的晶胞参数c为约
14.如权利要求8所述的磷光体，其特征在于：
所述磷光体的基质晶体的晶体结构是单斜晶系；
基质晶体的晶胞参数a为约
基质晶体的晶胞参数b为约
基质晶体的晶胞参数c为约以及
基质晶体的晶胞参数β为约87-93度。
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